Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Bu məqaləni lazımdır. |
Yarımkeçiricilər — keçiricilərlə dielektriklər arasında aralıq vəziyyət tutan materiallar. Yarımkeçiricilərin elektrik keçiriciliyi və ya xüsusi müqaviməti xarici təsirlərdən (temperatur, aşqarlar, işıqlanma, xarici elektrik sahəsi və s.) güclü asılıdır. Yarımkeçiricinin əsas xüsusiyyəti temperaturun artması ilə keçiriciliyin artmasıdır. Temperaturu mütləq sıfıra yaxın olan yarımkeçiricilər dielektrik xassəsi göstərir. Onun keçirici xassələrini kristal quruluşa aşqar daxil etməklə səmərəli şəkildə dəyişmək mümkündür.
Mendeleyev cədvəlində orta qrupun 12 elementi (B, C, Si, P, S, Ge, As, Se, Sn, Sb, Te, I), habelə bir çox üzvi və qeyri- üzvi kimyəvi birləşmələr yarımkeçirici maddələrdir. Silisium əksər elektron sxemlərin istehsalı üçün vacib elementdir. Silisiumdan sonra qallium arsenid ən çox yayılmış yarımkeçiricidir və lazer diodlarında, günəş batareyalarında, mikrodalğa-tezlik inteqral sxemlərində və başqalarında geniş istifadə olunur.
Xüsusiyyətləri
Dəyişən elektrik keçiriciliyi
Təbii halda yarımkeçiricilər elektriki zəif keçirir, çünki valent zolağı elektronlarla dolmuş olur, bu da yeni elektronların daxil olmasına maneə törədir. aşqarlama və rəzələmə kimi bir neçə təkmil üsuldan istifadə etməklə özünü keçiricilər kimi aparan yarımkeçirici materiallar almaq mümkündür. Bu tip dəyişikliklərdən iki əsas nəticə alınır: n–tip və p–tip. Bunlar müvafiq olaraq elektronların artıqlığı və əksikliyi deməkdir. Balanslaşdırılmış sayda elektron cərəyanın material boyunca axmasına səbəb olur.
Heterokeçidlər
Kimyəvi tərkibləri müxtəlif olan, yəni qagağan zonalarının eni müxtəlif olan iki yarımkeçiricinin kontaktında yaranan elektrik keçidləridir. Heterokeçid iki n–növ və ya iki p–növ yarımkeçirici arasında (izotip keçid), yaxud iki p– və n–tip yarımkeçirici arasında (anizotip keçid) yarana bilər. Heterokeçid iki monokristal və ya iki amorf yarımkeçirici arasında da yarana bilər. Lakin, monokristallar arasında heterokeçidlər daha çox praktiki əhəmiyyətə malikdir. Keçid təbəqəsində materialın bir çox xassələri dəyişir. Məsələn, enerji zonalarının quruluşu, qadağan zonasının eni, yükdaşıyıcıların effektiv kütləsi və yürüklüyü və s. İdeal heterokeçid almaq üçün yarımkeçiricilərin kristal quruluşu eyni, qəfəs sabitləri və termik genişlənmə əmsalları isə bir-birinə bərabər və ya çox yaxın olmalıdır. Ideala yaxın heterokeçidlərdə qəfəs sabitləri ~0.1% dəqiqliklə üst–üstə düşməlidir. Heterokeçid almaq üçün ən yaxşı cütlər A3B5 birləşmələri və onların bərk məhlullarıdır. Məsələn, GaAs–AlxGa1-xAs. Kəskin heterokeçidlərdə iki bircins yarımkeçirici arasında keçid təbəqəsinin eni ~ 2nm (4–5 atom təbəqəsi) olur.
Həyəcanlanmış elektronlar
Yarımkeçirici materiala tətbiq olunan potensiallar fərqi onun istilik tarazlığını tərk etməsinə və nataraz vəziyyət yaratmasına səbəb olur. Bu elektronların və deşiklərin ambipolyar diffuziya adlanan qarşılıqlı təsir sayəsində sistemə daxil olmasını təmin edir. Yarımkeçirici materialda istilik tarazlığı pozulduqda dəliklərin və elektronların sayı dəyişir. Belə pozulmalar temperaturlar fərqi və ya fotonlar hesabına baş verə bilər ki, bu da sistemdə elektron və deşiklərin yaranmasına səbəb olur. Elektronları və dəlikləri yaradan və yox edən proses müvafiq olaraq generasiya və rekombinasiya adlanır.
İşıq şüalanması
Müəyyən yarımkeçiricilərdə həyəcanlanan elektronlar istilik əvəzinə işıq şüalandırmaqla sərbəst hala qayıdır. Bu tip yarımkeçiricilərdən işıq diodlarının və flüorosent kvant nöqtələrinin istehsalında istifadə olunur.
Yüksək istilik keçiriciliyi
Yüksək istilik keçiriciliyinə malik olan yarımkeçiricilərdən istiliyi yaymaq və elektronikanın istilik idarəetməsini yaxşılaşdırmaq üçün istifadə etmək olar.
İstilik enerjisinin çevrilməsi
Yarımkeçiricilər böyük termoelektrik güc faktorlarına malikdirlər ki, bu da onları termoelektrik generatorlar üçün faydalı edir, həmçinin yüksək termoelektrik göstəriciləri onları termoelektrik soyuducularda əhəmiyyətli edir.
Ədəbiyyat
M.M.Zərbəliyev. Yarımkeçiricilər fizikası.
O.M.Sadıqov, Z.S.Musayev. Elektronika (ingilis, rus və azərbaycan dillərində izahlı terminoloji lüğət). I hissə.
O.M.Sadıqov, Z.S.Musayev. Elektronika (ingilis, rus və azərbaycan dillərində izahlı terminoloji lüğət). ІI hissə.
wikipedia, oxu, kitab, kitabxana, axtar, tap, meqaleler, kitablar, oyrenmek, wiki, bilgi, tarix, tarixi, endir, indir, yukle, izlə, izle, mobil, telefon ucun, azeri, azəri, azerbaycanca, azərbaycanca, sayt, yüklə, pulsuz, pulsuz yüklə, haqqında, haqqinda, məlumat, melumat, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, şəkil, muisiqi, mahnı, kino, film, kitab, oyun, oyunlar, android, ios, apple, samsung, iphone, pc, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, web, computer, komputer
Bu meqaleni vikilesdirmek lazimdir Lutfen meqaleni umumvikipediya ve redakte qaydalarina uygun sekilde tertib edin Yarimkeciriciler keciricilerle dielektrikler arasinda araliq veziyyet tutan materiallar Yarimkeciricilerin elektrik keciriciliyi ve ya xususi muqavimeti xarici tesirlerden temperatur asqarlar isiqlanma xarici elektrik sahesi ve s guclu asilidir Yarimkeciricinin esas xususiyyeti temperaturun artmasi ile keciriciliyin artmasidir Temperaturu mutleq sifira yaxin olan yarimkeciriciler dielektrik xassesi gosterir Onun kecirici xasselerini kristal qurulusa asqar daxil etmekle semereli sekilde deyismek mumkundur Silisium kristallari mikroelektronikada en genis yayilmis yarimkeciricilerdir Mendeleyev cedvelinde orta qrupun 12 elementi B C Si P S Ge As Se Sn Sb Te I habele bir cox uzvi ve qeyri uzvi kimyevi birlesmeler yarimkecirici maddelerdir Silisium ekser elektron sxemlerin istehsali ucun vacib elementdir Silisiumdan sonra qallium arsenid en cox yayilmis yarimkeciricidir ve lazer diodlarinda gunes batareyalarinda mikrodalga tezlik inteqral sxemlerinde ve basqalarinda genis istifade olunur XususiyyetleriDeyisen elektrik keciriciliyi Tebii halda yarimkeciriciler elektriki zeif kecirir cunki valent zolagi elektronlarla dolmus olur bu da yeni elektronlarin daxil olmasina manee toredir asqarlama ve rezeleme kimi bir nece tekmil usuldan istifade etmekle ozunu keciriciler kimi aparan yarimkecirici materiallar almaq mumkundur Bu tip deyisikliklerden iki esas netice alinir n tip ve p tip Bunlar muvafiq olaraq elektronlarin artiqligi ve eksikliyi demekdir Balanslasdirilmis sayda elektron cereyanin material boyunca axmasina sebeb olur Heterokecidler Kimyevi terkibleri muxtelif olan yeni qagagan zonalarinin eni muxtelif olan iki yarimkeciricinin kontaktinda yaranan elektrik kecidleridir Heterokecid iki n nov ve ya iki p nov yarimkecirici arasinda izotip kecid yaxud iki p ve n tip yarimkecirici arasinda anizotip kecid yarana biler Heterokecid iki monokristal ve ya iki amorf yarimkecirici arasinda da yarana biler Lakin monokristallar arasinda heterokecidler daha cox praktiki ehemiyyete malikdir Kecid tebeqesinde materialin bir cox xasseleri deyisir Meselen enerji zonalarinin qurulusu qadagan zonasinin eni yukdasiyicilarin effektiv kutlesi ve yurukluyu ve s Ideal heterokecid almaq ucun yarimkeciricilerin kristal qurulusu eyni qefes sabitleri ve termik genislenme emsallari ise bir birine beraber ve ya cox yaxin olmalidir Ideala yaxin heterokecidlerde qefes sabitleri 0 1 deqiqlikle ust uste dusmelidir Heterokecid almaq ucun en yaxsi cutler A3B5 birlesmeleri ve onlarin berk mehlullaridir Meselen GaAs AlxGa1 xAs Keskin heterokecidlerde iki bircins yarimkecirici arasinda kecid tebeqesinin eni 2nm 4 5 atom tebeqesi olur Heyecanlanmis elektronlar Yarimkecirici materiala tetbiq olunan potensiallar ferqi onun istilik tarazligini terk etmesine ve nataraz veziyyet yaratmasina sebeb olur Bu elektronlarin ve desiklerin ambipolyar diffuziya adlanan qarsiliqli tesir sayesinde sisteme daxil olmasini temin edir Yarimkecirici materialda istilik tarazligi pozulduqda deliklerin ve elektronlarin sayi deyisir Bele pozulmalar temperaturlar ferqi ve ya fotonlar hesabina bas vere biler ki bu da sistemde elektron ve desiklerin yaranmasina sebeb olur Elektronlari ve delikleri yaradan ve yox eden proses muvafiq olaraq generasiya ve rekombinasiya adlanir Isiq sualanmasi Mueyyen yarimkeciricilerde heyecanlanan elektronlar istilik evezine isiq sualandirmaqla serbest hala qayidir Bu tip yarimkeciricilerden isiq diodlarinin ve fluorosent kvant noqtelerinin istehsalinda istifade olunur Yuksek istilik keciriciliyi Yuksek istilik keciriciliyine malik olan yarimkeciricilerden istiliyi yaymaq ve elektronikanin istilik idareetmesini yaxsilasdirmaq ucun istifade etmek olar Istilik enerjisinin cevrilmesi Yarimkeciriciler boyuk termoelektrik guc faktorlarina malikdirler ki bu da onlari termoelektrik generatorlar ucun faydali edir hemcinin yuksek termoelektrik gostericileri onlari termoelektrik soyuducularda ehemiyyetli edir EdebiyyatM M Zerbeliyev Yarimkeciriciler fizikasi O M Sadiqov Z S Musayev Elektronika ingilis rus ve azerbaycan dillerinde izahli terminoloji luget I hisse O M Sadiqov Z S Musayev Elektronika ingilis rus ve azerbaycan dillerinde izahli terminoloji luget II hisse