Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Nəcəfov Bəxtiyar Ağaqulu oğlu 6 iyun 1960-cı ildə Qərbi Azərbaycanın (indiki Ermənistan Respublikası) Sisian rayonu Ağudi kəndində müəllim ailəsində anadan olmuşdur. 1977-ci ildə orta məktəbi, 1982-ci ildə isə Azərbaycan Dövlət Universitetinin (indiki Bakı Dövlət Universiteti) Fizika fakültəsini "Atom və molekulların kvant mexanikası" ixtisası üzrə bitirmişdir. Əmək fəaliyyətinə 1982–1984-cü illərdə təyinatı üzrə Dağlıq Qarabağ Muxtar Vilayətində başlamışdır. 1984-cü ildə Azərbaycan SSR Elmlər Akademiyasının (indiki Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası) Radiasiya Tədqiqatlar Bölməsinin (indiki Radiasiya Problemləri İnstitutu) əyani aspiranturasına daxil olmuşdur. 1992-ci ildə "Hidrogenləşmiş nazik təbəqəli silisium birləşmələrində elektron, optik proseslər və onların tətbiq perspektivləri" mövzusunda namizədlik və həmin mövzunu davam etdirərək 2013-cü ildə doktorluq dissertasiyasını müdafiə etmişdir. Hazırda AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutunda "Yarımkeçiricilərin Radiasiya fizikası" laboratoriyasında aparıcı elmi işçi vəzifəsində çalışır. Fizika elmlər doktoru, professordur.
| Bəxtiyar Nəcəfov | |
|---|---|
| Doğum tarixi | 6 iyun 1960 (64 yaş) |
| Doğum yeri | |
Elmi fəaliyyəti
Bəxtiyar Nəcəfovun elmi fəaliyyətinə nazik təbəqəli silisium birləşmələrinin alınması (maqnetron çökmə, plazma-kimyəvi metodlarla) və aşqarlanması, nazik təbəqəli silisium birləşmələrinin (elektrik, termoelektrik, fotoelektrik, fotolyuminessensiya) müxtəlif xassələrinin tədqiq edilməsi, nazik təbəqəli silisium birləşmələrinin əsasında elektron cihazlarının hazırlanması və nazik təbəqəli silisium birləşmələrində hidrogenləşmə prosesinin (yəni təbəqə daxilində effuziya və diffuziya) öyrənilməsi daxildir.
Elmi nailiyyətləri
1. Aşağı temperaturlarda sıçrama mexanizmi öyrənilmişdir.
2. Sıçrama enerjisi, sıçrama məsafəsi, lokallaşmış halda dalğa funksiyası və hal sıxlığı silisium birləşmələri üçün müəyyən edilmlşdir.
3. Silisium birləşmələrində hydrogen atomunun konsentrasiyası müəyyən etmək üçün düstur verilmlşdir.
4. Çox qatlı günəş elementlərinin hazırlanması üçün struktur verilmişdir.
Bəxtiyar Nəcəfov, eyni zamanda, nazik təbəqəli silisium birləşmələrində aşağı temperaturlarda (T=150) sıçrama mexanizmini, sıçrama enerjisini, sıçrama məsafəsini, lokallaşmış halda dalğa funksiyası, qaranlıqda elektron və deşiklərin yürüklüyü, hal sıxlığının müəyyən edilməsi, eyni zamanda hidrogen atomunun təbəqə daxilində konsentrasiyasını müəyyən etmək üçün düstur vermişdir.
O, nazik təbəqəli (amorf, polikristallar, mikrokristallar, nanokristallarda) silisium birləşmələrində işığın əksolunma, sınma və təbəqədən keçmə əmsalı əsasında udulma üçün yeni bir formula da almışdır:
Alim nazik təbəqəli silisium birləşmələri əsasında elektron cihazlarının, yəni çox qatlı günəş elementləri və ionlaşdırıcı şüaların dozasının(radiasiya) qeyd edilməsi üçün detektorların nəzəri modelini hazırlamışdır.
Mükafatlar
B. Nəcəfov 2014-cü ildə Rusiya Təbiət elmləri müxbir üzvü, 2016-cı ildə isə akademiki seçilmişdir. Rusiya Təbiət elmləri Akademiyasının "Rusiyanın Qızıl kafedrası" — diplomu və döş nişanı — "Золотая кафедра России", Rusiya Təbiət elmləri Akademiyasının "Labore et scientia"- "Bilik və əməyə" görə ordeni, Rusiya Təbiət elmləri Akademiyasının "PRİMUS İNTER PARES"- "Bərabər olanların arasında birinci" ordeni, Rusiya Təbiət elmləri Akademiyasının "Təhsil və əməkdar elm xadimi"- "Заслуженный деятель науки и образования", Rusiya Təbiət elmləri Akademiyasının 20 illik yubileyi münasibətilə rus elminin inkişafında qazandığı nailiyyətlərə və etdiyi kəşflərə görə, həmçinin onun inkişaf etdirilməsində əməyinə görə rus alimi "В.И. Вернадского" medalı ilə təltif edilmişdir.
B. Nəcəfov "İctimai –Siyasi, Beynəlxalq Hüquq Qəzeti" tərəfindən "Fədakar elm adamı" diplomu və Müstəqil Milli Mükafatla təltif olunmuşdur.
Nəşrlər
B. Nəcəfov 50-yə yaxın beynəlxalq elmi konfransların iştirakçısı olub.120 elmi əsərin və 2 monoqrafiyanın (Almaniyada dərc edilmiş) müəllifidir. 80 elmi məqaləsi beynəlxalq jurnallarda dərc olunub. Alimin, beynəlxalq elmi bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda 60 elmi məqaləsi çap olunub.
B. Nəcəfovun beynəlxalq elmi və jurnallarda dərc olunan 12 məqaləsi sertifikata layiq görülmüşdür.
Elmi əsərləri
1. Najafov B. A, Bakirov M. Y, Mamedov V. S. and Andreev A. A. Optical properties of amorphous hydrogenated amorphous a-Si0,90Ge0,10:Hx. // Phys. Stat. Solids, 1991, K 119–127.
2. Наджафов Б.А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge0,90Sio,10:Hx. // Физ. и Техн. Полупроводников, т. 34, в.11, 2000, c. 1383–1385.
3. Najafov B. A. Absorption, photoconductivity and current-voltage characteristics of amorphous Ge0,90Sio,10:H solid solutions. // Укр. Физ. журн., 2000, т. 45, № 10, c. 1221–1224.
4. Наджафов Б.А., Исаков Г.И., Фигаров В.Р. Оптические свойства гидрогенизированных аморфных пленок твердого раствора a-Ge0,85Sio,15:H. // Прикладная физика, 2004, № 4, с. 107–114.
5. Наджафов Б.А. ЭПР и ИК спектры поглошения аморфных пленок a-Sii-хGex:H. // AMEA-nın Xəbərləri, 2005, № 2, c. 139–144
6. Наджафов Б.А. Солнечные преобразователи на основе а-Si0,80Ge0,20:Hx. // Прикладная физика, 2005, с.97–102.
7. Najafov B. A. Solar cells based on a-Si0,80Ge0,20:H amorphous films. // Укр. Физ. журн., 2005, т. 50, № 5, р. 477–482.
8. Najafov B. A. and Isakov G. I. Electrical properties of amorphous Sio,60Ge0,40:Hx films. // Inorganic Materials, 2005, № 7, vol. 41, p. 787–791.
9. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si1-xGex:H c различной концентрацией водорода. // Журнал прикладной спектроскопии, 2005, т.72, № 3, c. 371–376.
10. Najafov B. A. Photovoltaic effects in a–Si0,80Ge0,10:Hx films. // Letters in International Journal for Alternativ Energy and Ecology, 2005, № 1, p. 36–38.
11. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Получение пленок а-Si1-хGex:H, изменение ее параметров от состава. // ISIAEE Solar Energy, 2006, № 4, (36), p. 51–55.
12. Фиговский О.А., Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Рост нанокристаллических структур аморфно гидрированных пленок кремния (а-Si:H). // Вестник Дома Ученых Хайфы, Специальный выпуск, Хайфа, 2008, с.14–23.
13. Najafov B. A. and Isakov G. I. Properties of amorphous Sii-xGex:H (x=0–1) films. // Inorganic Materials, 2009, vol. 45, № 7. p. 713–718.
14. Najafov В.А., Fiqarov V. R. Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon. // International Journal of Hydrogen Energy, 35, 2010, р. 4361–4367.
15. Najafov B. A. and Isakov G. I. Optical and Electrical Properties of amorphous Si1-xCx:H films. // Inorganic Materials, 2010, №,6, vol. 46, p. 624–630.
İstinadlar
- Nəcəfov Bəxtiyar Ağaqulu oğlu
- Наджафов Бахтияр Агагулу оглы
wikipedia, oxu, kitab, kitabxana, axtar, tap, meqaleler, kitablar, oyrenmek, wiki, bilgi, tarix, tarixi, endir, indir, yukle, izlə, izle, mobil, telefon ucun, azeri, azəri, azerbaycanca, azərbaycanca, sayt, yüklə, pulsuz, pulsuz yüklə, haqqında, haqqinda, məlumat, melumat, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, şəkil, muisiqi, mahnı, kino, film, kitab, oyun, oyunlar, android, ios, apple, samsung, iphone, pc, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, web, computer, komputer
Necefov Bextiyar Agaqulu oglu 6 iyun 1960 ci ilde Qerbi Azerbaycanin indiki Ermenistan Respublikasi Sisian rayonu Agudi kendinde muellim ailesinde anadan olmusdur 1977 ci ilde orta mektebi 1982 ci ilde ise Azerbaycan Dovlet Universitetinin indiki Baki Dovlet Universiteti Fizika fakultesini Atom ve molekullarin kvant mexanikasi ixtisasi uzre bitirmisdir Emek fealiyyetine 1982 1984 cu illerde teyinati uzre Dagliq Qarabag Muxtar Vilayetinde baslamisdir 1984 cu ilde Azerbaycan SSR Elmler Akademiyasinin indiki Azerbaycan Milli Elmler Akademiyasi Radiasiya Tedqiqatlar Bolmesinin indiki Radiasiya Problemleri Institutu eyani aspiranturasina daxil olmusdur 1992 ci ilde Hidrogenlesmis nazik tebeqeli silisium birlesmelerinde elektron optik prosesler ve onlarin tetbiq perspektivleri movzusunda namizedlik ve hemin movzunu davam etdirerek 2013 cu ilde doktorluq dissertasiyasini mudafie etmisdir Hazirda AMEA Radiasiya Problemleri Institutunda Yarimkeciricilerin Radiasiya fizikasi laboratoriyasinda aparici elmi isci vezifesinde calisir Fizika elmler doktoru professordur Bextiyar NecefovDogum tarixi 6 iyun 1960 1960 06 06 64 yas Dogum yeri Agdu Sisian rayonu Ermenistan SSR SSRIElmi fealiyyetiBextiyar Necefovun elmi fealiyyetine nazik tebeqeli silisium birlesmelerinin alinmasi maqnetron cokme plazma kimyevi metodlarla ve asqarlanmasi nazik tebeqeli silisium birlesmelerinin elektrik termoelektrik fotoelektrik fotolyuminessensiya muxtelif xasselerinin tedqiq edilmesi nazik tebeqeli silisium birlesmelerinin esasinda elektron cihazlarinin hazirlanmasi ve nazik tebeqeli silisium birlesmelerinde hidrogenlesme prosesinin yeni tebeqe daxilinde effuziya ve diffuziya oyrenilmesi daxildir Elmi nailiyyetleri1 Asagi temperaturlarda sicrama mexanizmi oyrenilmisdir 2 Sicrama enerjisi sicrama mesafesi lokallasmis halda dalga funksiyasi ve hal sixligi silisium birlesmeleri ucun mueyyen edilmlsdir 3 Silisium birlesmelerinde hydrogen atomunun konsentrasiyasi mueyyen etmek ucun dustur verilmlsdir 4 Cox qatli gunes elementlerinin hazirlanmasi ucun struktur verilmisdir Bextiyar Necefov eyni zamanda nazik tebeqeli silisium birlesmelerinde asagi temperaturlarda T 150 sicrama mexanizmini sicrama enerjisini sicrama mesafesini lokallasmis halda dalga funksiyasi qaranliqda elektron ve desiklerin yurukluyu hal sixliginin mueyyen edilmesi eyni zamanda hidrogen atomunun tebeqe daxilinde konsentrasiyasini mueyyen etmek ucun dustur vermisdir Ns xN ek kT x 3 T 80K displaystyle Ns xN varepsilon k kT x approx 3 T leq 80K Js w a w dw NH A a w dw displaystyle Js w int alpha omega d omega N H A int alpha omega d omega ws w displaystyle omega s w O nazik tebeqeli amorf polikristallar mikrokristallar nanokristallarda silisium birlesmelerinde isigin eksolunma sinma ve tebeqeden kecme emsali esasinda udulma ucun yeni bir formula da almisdir Alim nazik tebeqeli silisium birlesmeleri esasinda elektron cihazlarinin yeni cox qatli gunes elementleri ve ionlasdirici sualarin dozasinin radiasiya qeyd edilmesi ucun detektorlarin nezeri modelini hazirlamisdir MukafatlarB Necefov 2014 cu ilde Rusiya Tebiet elmleri muxbir uzvu 2016 ci ilde ise akademiki secilmisdir Rusiya Tebiet elmleri Akademiyasinin Rusiyanin Qizil kafedrasi diplomu ve dos nisani Zolotaya kafedra Rossii Rusiya Tebiet elmleri Akademiyasinin Labore et scientia Bilik ve emeye gore ordeni Rusiya Tebiet elmleri Akademiyasinin PRIMUS INTER PARES Beraber olanlarin arasinda birinci ordeni Rusiya Tebiet elmleri Akademiyasinin Tehsil ve emekdar elm xadimi Zasluzhennyj deyatel nauki i obrazovaniya Rusiya Tebiet elmleri Akademiyasinin 20 illik yubileyi munasibetile rus elminin inkisafinda qazandigi nailiyyetlere ve etdiyi kesflere gore hemcinin onun inkisaf etdirilmesinde emeyine gore rus alimi V I Vernadskogo medali ile teltif edilmisdir B Necefov Ictimai Siyasi Beynelxalq Huquq Qezeti terefinden Fedakar elm adami diplomu ve Musteqil Milli Mukafatla teltif olunmusdur NesrlerB Necefov 50 ye yaxin beynelxalq elmi konfranslarin istirakcisi olub 120 elmi eserin ve 2 monoqrafiyanin Almaniyada derc edilmis muellifidir 80 elmi meqalesi beynelxalq jurnallarda derc olunub Alimin beynelxalq elmi bazalarda referatlasdirilan ve indekslesdirilen jurnallarda 60 elmi meqalesi cap olunub B Necefovun beynelxalq elmi ve jurnallarda derc olunan 12 meqalesi sertifikata layiq gorulmusdur Elmi eserleri1 Najafov B A Bakirov M Y Mamedov V S and Andreev A A Optical properties of amorphous hydrogenated amorphous a Si0 90Ge0 10 Hx Phys Stat Solids 1991 K 119 127 2 Nadzhafov B A Elektricheskie svojstva amorfnyh plenok tverdogo rastvora Ge0 90Sio 10 Hx Fiz i Tehn Poluprovodnikov t 34 v 11 2000 c 1383 1385 3 Najafov B A Absorption photoconductivity and current voltage characteristics of amorphous Ge0 90Sio 10 H solid solutions Ukr Fiz zhurn 2000 t 45 10 c 1221 1224 4 Nadzhafov B A Isakov G I Figarov V R Opticheskie svojstva gidrogenizirovannyh amorfnyh plenok tverdogo rastvora a Ge0 85Sio 15 H Prikladnaya fizika 2004 4 s 107 114 5 Nadzhafov B A EPR i IK spektry poglosheniya amorfnyh plenok a Sii hGex H AMEA nin Xeberleri 2005 2 c 139 144 6 Nadzhafov B A Solnechnye preobrazovateli na osnove a Si0 80Ge0 20 Hx Prikladnaya fizika 2005 s 97 102 7 Najafov B A Solar cells based on a Si0 80Ge0 20 H amorphous films Ukr Fiz zhurn 2005 t 50 5 r 477 482 8 Najafov B A and Isakov G I Electrical properties of amorphous Sio 60Ge0 40 Hx films Inorganic Materials 2005 7 vol 41 p 787 791 9 Nadzhafov B A Isakov G I Opticheskie svojstva amorfnyh plenok tverdogo rastvora a Si1 xGex H c razlichnoj koncentraciej vodoroda Zhurnal prikladnoj spektroskopii 2005 t 72 3 c 371 376 10 Najafov B A Photovoltaic effects in a Si0 80Ge0 10 Hx films Letters in International Journal for Alternativ Energy and Ecology 2005 1 p 36 38 11 Nadzhafov B A Isakov G I Poluchenie plenok a Si1 hGex H izmenenie ee parametrov ot sostava ISIAEE Solar Energy 2006 4 36 p 51 55 12 Figovskij O A Nadzhafov B A Isakov G I Rost nanokristallicheskih struktur amorfno gidrirovannyh plenok kremniya a Si H Vestnik Doma Uchenyh Hajfy Specialnyj vypusk Hajfa 2008 s 14 23 13 Najafov B A and Isakov G I Properties of amorphous Sii xGex H x 0 1 films Inorganic Materials 2009 vol 45 7 p 713 718 14 Najafov V A Fiqarov V R Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon International Journal of Hydrogen Energy 35 2010 r 4361 4367 15 Najafov B A and Isakov G I Optical and Electrical Properties of amorphous Si1 xCx H films Inorganic Materials 2010 6 vol 46 p 624 630 IstinadlarNecefov Bextiyar Agaqulu oglu Nadzhafov Bahtiyar Agagulu ogly