Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Mikroelektronikanın meydana gəlməsi — Yeni tipli tranzistorların yaranması və onların impuls və rəqəm texnikasında tətbiqi, eləcə də kiçik ölçülü hesablama maşınlarının yaradılması, yeni‐yeni kiçik həcmli yarımkeçirici cihazlarının birləşdirilərək elektron qurğularının yaradılmasında istifadə edilməsi elektronikanın yeni sahəsinin – mikroelektronikanın meydana gəlməsinə zəmin yaratdı. Sahə tranzistorlarının ixtira edilməsi kiçik həcmli elektron hesablama maşınlarının (EHM) yaranmasına imkan yaratdı. Onların əsasında aviasiya və kosmos texnikasında idarəetmə kabinəsində elektron qurğuları tətbiq edildi. Həmin qurğularda minlərlə müxtəlif növ radio elementləri istifadə olunurdu və onların sayı günbəgün artırdı. Radio elementlərinin sayının artması praktiki çətinliklər törədirdi. Hətta çoxlu sayda olan elementlərin normal işləməsi sual altında idi. Çünki ən təcrübəli ustalar belə, hər 1000 lehimdə bir‐neçə səhv buraxırdılar və buraxılan səhvlər hesabına sxemlərdə elektrik boşalmaları baş verir, sxemlər sıradan çıxırdı. Qüsurların aradan qaldırılması böyük vaxt və zəhmət tələb edirdi. Radioqurğuların etibarlılığı və işə dözümlülüyü problem olaraq qalırdı. Uzun müddətli araşdırmalardan sonra bu problemlərin həlli üçün sxemlərin hissə-hissə hazırlanaraq birləşdirilməsi təklifi meydana çıxdı. Bununla da mikroelektronikanın təməli qoyuldu.
İnkişaf texnologiyası
Mikroelektronikanın inkişafı mikrotexnologiyanın səviyyəsi ilə müəyyən edilir. Mikrotexnologiyanın əsas sahələrindən biri planar texnologiyadır. vəzifəsi – müxtəlif elektrik xarakteristikalı materiallardan hazırlanacaq elektron sxemləri üçün nazik təbəqələrin şəklini yaratmaqdır. Planar texnologiya qrup şəkilli xarakterə malikdir. Yəni bir texnoloji prosesdə müstəvi səthdə bir‐neçə yarımkeçirici sxem almaq mümkündür. Nazik təbəqələrin alınmasının texnoloji prosesləri Epitaksiya baş verir. Mikrosxemlərin formalaşması müxtəlif proseslərin həyata keçirilməsi nəticəsində baş verir. Belə proseslərdən biri də mikrosxemlərin topologiyasının alınması üçün litoqrafiya proseslərinin tətbiqidir. Litoqrafiya prosesinin tətbiq tapmış dörd növü mövcuddur: foto, elektron‐şüa, rentgen və ion‐şüa litoqrafiya.
İnkişaf mərhələləri
İnteqral sxemlərdə elementlərin sıxlığı o dərəcədə artdı ki, artıq onlara bütöv bir sistem, yəni mikroelektron qurğu kimi baxmağa başladılar. Funksiyalar artdıqca, inteqral mikrosxemlər daha da mürəkkəb quruluşa malik olur. Çünki onlarda inteqrasiya dərəcəsi yüksəlir. İnteqral mikrosxemlərin inkişafını inteqrasiya dərəcəsinə görə aşağıdakı mərhələlərə bölmək olar:
1) 1960‐1969‐cu illər. Bu mərhələdə üzərində 10² tranzistor yerləşən kiçik inteqrasiya dərəcəli inteqral sxemlər (KİS) istehsal olunurdu;
2) 1969‐1975‐ci illər. Bu mərhələdə üzərində 10³ tranzistor yerləşən orta inteqrasiya dərəcəli inteqral sxemlər (OİS) istehsal olunurdu;
3) 1975‐1980‐cı illər. Bu mərhələdə üzərində 
tranzistor yerləşən böyük inteqrasiya dərəcəli inteqral sxemlər (BİS) istehsal olunurdu;
4) 1980‐1985‐ci illər. Bu mərhələdə üzərində 
tranzistor yerləşən ifrat böyük inteqrasiya dərəcəli inteqral sxemlər (İBS) istehsal olunurdu;
5) 1985‐ci ildən sonra. Bu mərhələdə üzərində 
tranzistor yerləşən ultra böyük inteqrasiya dərəcəli sxemlər (UBİS) istehsal olunur.
Göründüyü kimi, KİS‐dən UBİS‐ə qədər keçid üçün dörddə bir əsr vaxt keçmişdir. İnteqral mikrosxemlərin inkişaf prosesini təsvir edən əsas parametrlərdən biri, sxemin üzərində n sayda elementlərin ildən‐ilə dəyişməsidir. Bu say inteqrasiya dərəcəsini xarakterizə edir. Mur qanununa görə hər üç ildən bir inteqral sxemdə olan elementlərin sayı 4 dəfə artır. İntel və Motorolla firmasının yüksək sıxlıqlı loqik kristalları – mikroprosessorları bu baxımdan geniş yayılmışdır.
1981‐1982‐ci illərdə UBİS inteqral mikrosxemlərin inkişafı və istehsalı litoqrafiya texnologiyası (elektron‐şüa, rentgen və eksimer lazer əsasında uzaq ultrabənövşəyi şüalarla litoqrafiya) hesabına stimullaşdırıldı. 1983‐cü ildə Mur Beynəlxalq konfransda qeyd etmişdir ki, mikroelektronikanın inkişaf və istehsal sürətini ABŞ‐da olduğu kimi Asiya ölkələrində də bazar münasibətləri müəyyən edir. Murun bu fikri özünü həyatda doğrultdu. 1985‐1987‐ci illərdə ABŞ sənayesinin 80%‐ni Yaponiya mikrosxemləri təmin edirdi. Çünki Yaponiya bu uğuru mikrosxemlərin texnologiyasında qazandığı yeniliklər hesabına əldə edərək, mikrosxemləri aşağı qiymətlərlə satırdı.
Həmçinin bax
İstinadlar
wikipedia, oxu, kitab, kitabxana, axtar, tap, meqaleler, kitablar, oyrenmek, wiki, bilgi, tarix, tarixi, endir, indir, yukle, izlə, izle, mobil, telefon ucun, azeri, azəri, azerbaycanca, azərbaycanca, sayt, yüklə, pulsuz, pulsuz yüklə, haqqında, haqqinda, məlumat, melumat, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, şəkil, muisiqi, mahnı, kino, film, kitab, oyun, oyunlar, android, ios, apple, samsung, iphone, pc, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, web, computer, komputer
Mikroelektronikanin meydana gelmesi Yeni tipli tranzistorlarin yaranmasi ve onlarin impuls ve reqem texnikasinda tetbiqi elece de kicik olculu hesablama masinlarinin yaradilmasi yeni yeni kicik hecmli yarimkecirici cihazlarinin birlesdirilerek elektron qurgularinin yaradilmasinda istifade edilmesi elektronikanin yeni sahesinin mikroelektronikanin meydana gelmesine zemin yaratdi Sahe tranzistorlarinin ixtira edilmesi kicik hecmli elektron hesablama masinlarinin EHM yaranmasina imkan yaratdi Onlarin esasinda aviasiya ve kosmos texnikasinda idareetme kabinesinde elektron qurgulari tetbiq edildi Hemin qurgularda minlerle muxtelif nov radio elementleri istifade olunurdu ve onlarin sayi gunbegun artirdi Radio elementlerinin sayinin artmasi praktiki cetinlikler toredirdi Hetta coxlu sayda olan elementlerin normal islemesi sual altinda idi Cunki en tecrubeli ustalar bele her 1000 lehimde bir nece sehv buraxirdilar ve buraxilan sehvler hesabina sxemlerde elektrik bosalmalari bas verir sxemler siradan cixirdi Qusurlarin aradan qaldirilmasi boyuk vaxt ve zehmet teleb edirdi Radioqurgularin etibarliligi ve ise dozumluluyu problem olaraq qalirdi Uzun muddetli arasdirmalardan sonra bu problemlerin helli ucun sxemlerin hisse hisse hazirlanaraq birlesdirilmesi teklifi meydana cixdi Bununla da mikroelektronikanin temeli qoyuldu Inkisaf texnologiyasiMikroelektronikanin inkisafi mikrotexnologiyanin seviyyesi ile mueyyen edilir Mikrotexnologiyanin esas sahelerinden biri planar texnologiyadir vezifesi muxtelif elektrik xarakteristikali materiallardan hazirlanacaq elektron sxemleri ucun nazik tebeqelerin seklini yaratmaqdir Planar texnologiya qrup sekilli xaraktere malikdir Yeni bir texnoloji prosesde mustevi sethde bir nece yarimkecirici sxem almaq mumkundur Nazik tebeqelerin alinmasinin texnoloji prosesleri Epitaksiya bas verir Mikrosxemlerin formalasmasi muxtelif proseslerin heyata kecirilmesi neticesinde bas verir Bele proseslerden biri de mikrosxemlerin topologiyasinin alinmasi ucun litoqrafiya proseslerinin tetbiqidir Litoqrafiya prosesinin tetbiq tapmis dord novu movcuddur foto elektron sua rentgen ve ion sua litoqrafiya Inkisaf merheleleriInteqral sxemlerde elementlerin sixligi o derecede artdi ki artiq onlara butov bir sistem yeni mikroelektron qurgu kimi baxmaga basladilar Funksiyalar artdiqca inteqral mikrosxemler daha da murekkeb qurulusa malik olur Cunki onlarda inteqrasiya derecesi yukselir Inteqral mikrosxemlerin inkisafini inteqrasiya derecesine gore asagidaki merhelelere bolmek olar 1 1960 1969 cu iller Bu merhelede uzerinde 10 tranzistor yerlesen kicik inteqrasiya dereceli inteqral sxemler KIS istehsal olunurdu 2 1969 1975 ci iller Bu merhelede uzerinde 10 tranzistor yerlesen orta inteqrasiya dereceli inteqral sxemler OIS istehsal olunurdu 3 1975 1980 ci iller Bu merhelede uzerinde 104 displaystyle 10 4 tranzistor yerlesen boyuk inteqrasiya dereceli inteqral sxemler BIS istehsal olunurdu 4 1980 1985 ci iller Bu merhelede uzerinde 105 displaystyle 10 5 tranzistor yerlesen ifrat boyuk inteqrasiya dereceli inteqral sxemler IBS istehsal olunurdu 5 1985 ci ilden sonra Bu merhelede uzerinde 107 displaystyle 10 7 tranzistor yerlesen ultra boyuk inteqrasiya dereceli sxemler UBIS istehsal olunur Gorunduyu kimi KIS den UBIS e qeder kecid ucun dordde bir esr vaxt kecmisdir Inteqral mikrosxemlerin inkisaf prosesini tesvir eden esas parametrlerden biri sxemin uzerinde n sayda elementlerin ilden ile deyismesidir Bu say inteqrasiya derecesini xarakterize edir Mur qanununa gore her uc ilden bir inteqral sxemde olan elementlerin sayi 4 defe artir Intel ve Motorolla firmasinin yuksek sixliqli loqik kristallari mikroprosessorlari bu baximdan genis yayilmisdir 1981 1982 ci illerde UBIS inteqral mikrosxemlerin inkisafi ve istehsali litoqrafiya texnologiyasi elektron sua rentgen ve eksimer lazer esasinda uzaq ultrabenovseyi sualarla litoqrafiya hesabina stimullasdirildi 1983 cu ilde Mur Beynelxalq konfransda qeyd etmisdir ki mikroelektronikanin inkisaf ve istehsal suretini ABS da oldugu kimi Asiya olkelerinde de bazar munasibetleri mueyyen edir Murun bu fikri ozunu heyatda dogrultdu 1985 1987 ci illerde ABS senayesinin 80 ni Yaponiya mikrosxemleri temin edirdi Cunki Yaponiya bu uguru mikrosxemlerin texnologiyasinda qazandigi yenilikler hesabina elde ederek mikrosxemleri asagi qiymetlerle satirdi Hemcinin baxInteqral sxemIstinadlar