Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Tranzistor (ing. transistor) — elektrik siqnallarını gücləndirmək, idarə etmək və generasiya etmək üçün üçelektrodlu yarımkeçirici cihaz. Tranzistor giriş, boşaltma və mənbə hissələrindən ibarətdir, bunlar adətən emitter, kollektor və baza adlanır. Tranzistorlar (field effect transistor) olmaqla iki növə ayrılır.1948-ci ildə üç fizikin - Ualter Houzer Bratteyn, Con Bardin və Vilyam Şoklinin fəaliyyəti nəticəsində tranzistor kəşf olunmuşdur.
1956-cı ildə Ualter Bretteyn "Yarımkeçiricilərin tədqiqinə və tranzistor effektinin kəşfinə görə" fizika üzrə Nobel mükafatına layiq görülmüşdür.
İş prinsipi
Bir qayda olaraq elektrik siqnallarının gücləndirilməsi, yığılması və dəyişilməsi üçün istifadə edilir. Prinsipial sxemlərdə "VT" və ya "Q" kimi işarə edilir.
Tranzistor elektronik siqnalları və elektrik enerjisini gücləndirmək, çevirmək üçün istifadə olunan yarımkeçirici qurğudur. O, xarici kontura qoşulmaq üçün ən az 3 terminaldan təşkil olunmuş yarımkeçirici materialdan ibarətdir. Gərginlik və ya hal-hazırkı elektrik bir cüt tranzistor terminallarının başqa bir terminallar cütü vasitəsilə dəyişdirilməsində tətbiq olunur. Çünki çıxış enerjisi giriş enerjisindən yüksək ola bilər və bunun nəticəsində tranzistor siqnalı gücləndirə bilər. Bu günümüzdə bəzi tranzistorlar fərdi şəkildə paketlənir, lakin əksər tranzistorları inteqral sxemlərə yerləşdirilmiş şəkildə tapmaq olar. Tranzistor müasir elekronik qurğuların təməlidir və ona müasir elektronik sistemlərin hər yerində rast gəlmək olar. Onun inkişafı 1947-ci ildə Con Bardin, Volter Bretteyn və Vilyam Şokli tərəfindən oldu, tranzistor elektronika sahəsində inqilab etdi və ondan kiçik və ucuz radiolar, kalkulyatorlar, kompüterlər və digər başqa qurğular üçün istifadə olunmağa başladı. Tranzistor "IEEE milstoun"un siyahısında yer aldı və onu kəşf edənlər birgə olaraq öz nailiyyətlərinə görə 1956-cı ildə fizika sahəsində Nobel mükafatı ilə təltif edildilər.
Tarixi
Tranzistor üç terminalı olan ilk qurğu deyil. da tranzistorlardan 50 il əvvəl eyni məqsədə xidmət edirdilər. İlk olaraq 1874‐cü ildə Braun piritin kontaktında düzləndirmə hadisəsini müşahidə etdi və bu sistemin əsasında detektor yaratdı. Digər tədqiqatçılar aşqarların yarımkeçirici materialların xassələrinə güclü təsir göstərdiyini müəyyənləşdirdilər. Yarımkeçirici elementlər elektron lampalarını keçən əsrin 40‐cı illərinin əvvəllərindən etibarən sıxışdırmağa başladı. 1940‐cı ildən radioelektron qurğularında nöqtəvi germanium diodları geniş tətbiq tapmağa başladı. Nəhayət 1938‐ci ildə İngiltərədə Mott, Rusiyada Davıdov, Almaniyada Valter Şottki bir‐birindən asılı olmayaraq metalyarımkeçirici kontaktının düzləndirmə nəzəriyyəsini işləyib hazırladılar. Müxtəlif ölkələrin alimləri tərəfindən yaradılan tədqiqat proqramı əvvəlcə nöqtəvi, sonra isə müstəvi tranzistorun yaranmasına səbəb oldu. Elektronikanın üçüncü inkişaf mərhələsi – nöqtəvi tranzistorun kəşfi və diskret yarımkeçirici cihazların yaradılması ilə başlanır. 1946‐cı ildə Bell telefon laboratoriyasında Vilyam Şoklinin başçılığı ilə bir qrup alimlər Si və Ge yarımkeçiricilərinin xassələrini nəzəri və təcrübi yolla öyrənməyə başladılar. Təcrübələr müxtəlif elektrik keçiriciliyinə malik iki yarımkeçirici sərhədində aparılırdı. Çoxsaylı təcrübələr nəticəsində üçelektrodlu yarımkeçirici cihaz – tranzistor ixtira edildi. Yükdaşıyıcıların müxtəlifliyinə görə tranzistorlar iki qrupa bölündü:
−unipolyar (eyniadlı yükdaşıyıcıya malik sahə tranzistoru);
−bipolyar (yükdaşıyıcıları elektronlardan və deşiklərdənibarət olan tranzistor).
Sahə tranzistorlarının yaradılması ideyası bipolyar tranzistorların yaradılmasından xeyli əvvəl irəli sürülmüşdü. Lakin praktiki olaraq bu ideyanı həyata keçirmək mümkün deyildi. İlk dəfə olaraq 1947-ci il noyabrın 17-dən dekabrın 23-nə qədər və Amerika Birləşmiş Ştatlarındakı Bell laboratoriyasında təcrübələr apardılar və müşahidə etdilər ki, tətbiq olunan zaman iki qızıl nöqtə bir-biri ilə əlaqə qurur və çıxış enerjisinin giriş enerjisindən daha böyük olduğu siqnal hasil edilir. ”Bərk Maddələr üzrə Fizika” qrupunun rəhbəri Vilyam Şokli bu sahədə potensialın olduğunu gördü və bir neçə ay ərzində yarımkeçiricilər elminin genişlənməsi üçün böyük işlər gördü.Tranzistor termini ilk dəfə olaraq Con R.Pirs tərəfindən işlədilmişdir və “keçirici” və “rezistor” sözlərinin birləşməsindən yaranmışdır. Lilyan Hudzon və görə Con Barden və Şokli bioqrafiyasının müəllifləri təklif etmişdilər ki,tranzistor üçün Bell laboratoriyasının ilk patenti sahə effektinə əsaslanmalıdır və o ixtiraçının adı ilə adlandırılmalıdır. Məlum olmayan illər öncə Lilienfeld-in patentləri ortaya çıxdı və Bell laboratoriyasının hakimləri Şoklinin təklifinin əleyhinə qərar verdilər, çünki elektrik sahəsində sahə efffekti tranzistorundan “tor” kimi istifadə etmək ideyası yenilik deyildi. Bunun əvəzində Barten, Bretteyn və Şokli 1947-ci ildə “nöqtələrarası əlaqə” tranzistorunu kəşf etdilər. Bunun həyata keçirilməsinin əvəzində onlar 1956-cı ildə tranzistorlar üzərində araşdırmalarına və tranzistor effektinin kəşfinə görə fizika sahəsində Nobel mükafatı ilə təltif olundular.
Hazırlanması
Tranzistorun hazırlanması üçün planar-diffuziya və planar- epitaksial texnologiyalardan istifadə edirlər. Bipolyar tranzistoru hazırlamaq üçün planar-diffuziyalı texnologiyada əvvəlcə p tipli altlığın səthində termiki oksidləşmə üsulu ilə silisium oksiddən nazik müdafiə qatı yaradılır. Sonra fotolitoqrafiya üsulu ilə 1-ci oksid üzlüyü əmələ gətirmək üçün oksid təbəqəsinin üzünü işığa həssas olan emulsiya-fotorezist çəkilir. Fotorezistin üzərinə üzlüyün tələb olunan rəsmin şəkili salınır, alınan təcvir aşqarlanır, fotorezistin işıq düşən hissələri xüsusi məhlulla təmizlənərək oksid təbəqəsinin üstü açılır. Sonra yenə məhlulla üstü açılmış sahədə oksid təbəqəsi həll etdirilib götürülür. Nəticədə inteqral mikrosxemdə tranzistorların verilən sayına uyğun və tələb olunan şəkildə deşiklər pəncərələr toplusu yaranır.
Bu pəncərələrdən altlığın dərinliyinə n tipli aşqarlar diffuziya edilib və qonşu sahələrdən və altlıqdan bağlı p-n keçidlərlə izolə n tipli qatlar-adacıqlar əmələ gəlir. Bunun üçün ikinci oksid üzlüyü vasitəsilə n tipli kollektor rolunu oynayan adacıqların dərinliyinə p tipli aşqarın diffuziya keçirilərək p tipli baza qatı əmələ gətirilir. Buna bənzər üçüncü üzlükdən n tipli emitter yaradıldıqdan sonra dördüncü oksid Planar – diffuzuya üzlüyündən qatları və lazımı elementləri birləşdirən yolların üzərinə metallaşdırılmış təmasları toz şəklində səpələyirlər. Planar-diffuziya texnologiyasının mənfi cəhəti odur ki, diffuziya altlığının səthindən həyata keçiril-diyindən p-n keçidlərin sərhədlərinin dəqiqliyi kiçik olur və aşqarlar altlığın qalınlığı boyu bərabər paylanmır: səthdə aşqarların konsentrasiyası dərinlik-lərə nisbətən daha çox olur. Bu çatışmazlıq planar-epitaksial texnologiyası vasitəsi ilə aradan qaldırılır. İstənilən keçiriciliyı malik olan yarımkeçirici altlığın üzərinə qaz fəzasinda 10-15 mkm qalınlıqlı nazik yarımkeçirici qatının artırılması prosesinə epitaksiya deyilir. Epitaksiya nəticəsində artırılan qatın kristal qəfəsi altlığın kristal qəfəsindən tam davamı olur. Epitaksial qatla altlıq izoləedici rol oynayır p-n keçidlə bir-birindən ayrılır.
Bu texnologiyaya əsasən bipolyar tranzistor hazırlamaq üçün p tipli yüksək müqavimətli altlıq və oksid təbəqəsi ilə örtürülmüş n tipli epitaksial qatdan istifadə edilir. Sonra oksid qatdan üzlük düzəldilir və onun pəncərələrindən p tipli aşqarın diffuziyası təşkil edilir. Nəticədə, epitaksial qatla p planar-diffuziya lı teznologiyada alınanlara bənzər bağlı p-n keçidlərlə izolə olunmuş adaciqlar yaranır. Bundan sonra planar-diffuziya texnologiyada olduğu kimi adaciqlar əsasında tranzistor strukturları formalaşdırılır. Planar-epitaksial texnologiyada aşqarlar epitaksial qat boyubca bərabər paylanır və p-n keçidlərin sərhədləri daha dəqiq olur. MDY tranzistrlar da bu qayda ilə hazırlanır, lakin texnoloji əməliyyatların sayı 3-3.4 dəfə , tranzistorun tutduğu sahə isə 20-25 dəfə az olur.
İstinadlar
- Calavert, J.B. "transisting". 4 may 2002. 31 March 2022 tarixində . İstifadə tarixi: 10 dekabr 2012.
- Əliquliyev R.M., Salmanova P.M. İnformasiya cəmiyyəti: maraqlı xronoloji faktlar. Bakı: “İnformasiya Texnologiyaları” nəşriyyatı, 2013, 169 səh.
- Proffessor David B Haviland. "The Transistor-History". 19 dekabr 2002. 2018-06-18 tarixində . İstifadə tarixi: 2013-12-10.
- . 2012-08-18 tarixində orijinalından arxivləşdirilib. İstifadə tarixi: 2013-12-10.
Xarici keçidlər
- Объяснение работы диодов и транзисторов на аналогии с водопроводом
- История транзисторов на сайте Bell Labs 2007-09-28 at the Wayback Machine
- Иллюстрированное описание процесса изготовления транзистора 2016-12-11 at the Wayback Machine
- Транзистор. Теория. Общие понятия.
- Справочник параметров транзисторов. С числовыми данными и внешним видом
wikipedia, oxu, kitab, kitabxana, axtar, tap, meqaleler, kitablar, oyrenmek, wiki, bilgi, tarix, tarixi, endir, indir, yukle, izlə, izle, mobil, telefon ucun, azeri, azəri, azerbaycanca, azərbaycanca, sayt, yüklə, pulsuz, pulsuz yüklə, haqqında, haqqinda, məlumat, melumat, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, şəkil, muisiqi, mahnı, kino, film, kitab, oyun, oyunlar, android, ios, apple, samsung, iphone, pc, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, web, computer, komputer
Tranzistor ing transistor elektrik siqnallarini guclendirmek idare etmek ve generasiya etmek ucun ucelektrodlu yarimkecirici cihaz Tranzistor giris bosaltma ve menbe hisselerinden ibaretdir bunlar adeten emitter kollektor ve baza adlanir Tranzistorlar field effect transistor olmaqla iki nove ayrilir 1948 ci ilde uc fizikin Ualter Houzer Bratteyn Con Bardin ve Vilyam Soklinin fealiyyeti neticesinde tranzistor kesf olunmusdur Diskret tranzistorlar 1956 ci ilde Ualter Bretteyn Yarimkeciricilerin tedqiqine ve tranzistor effektinin kesfine gore fizika uzre Nobel mukafatina layiq gorulmusdur Is prinsipiBir qayda olaraq elektrik siqnallarinin guclendirilmesi yigilmasi ve deyisilmesi ucun istifade edilir Prinsipial sxemlerde VT ve ya Q kimi isare edilir Tranzistor elektronik siqnallari ve elektrik enerjisini guclendirmek cevirmek ucun istifade olunan yarimkecirici qurgudur O xarici kontura qosulmaq ucun en az 3 terminaldan teskil olunmus yarimkecirici materialdan ibaretdir Gerginlik ve ya hal hazirki elektrik bir cut tranzistor terminallarinin basqa bir terminallar cutu vasitesile deyisdirilmesinde tetbiq olunur Cunki cixis enerjisi giris enerjisinden yuksek ola biler ve bunun neticesinde tranzistor siqnali guclendire biler Bu gunumuzde bezi tranzistorlar ferdi sekilde paketlenir lakin ekser tranzistorlari inteqral sxemlere yerlesdirilmis sekilde tapmaq olar Tranzistor muasir elekronik qurgularin temelidir ve ona muasir elektronik sistemlerin her yerinde rast gelmek olar Onun inkisafi 1947 ci ilde Con Bardin Volter Bretteyn ve Vilyam Sokli terefinden oldu tranzistor elektronika sahesinde inqilab etdi ve ondan kicik ve ucuz radiolar kalkulyatorlar komputerler ve diger basqa qurgular ucun istifade olunmaga basladi Tranzistor IEEE milstoun un siyahisinda yer aldi ve onu kesf edenler birge olaraq oz nailiyyetlerine gore 1956 ci ilde fizika sahesinde Nobel mukafati ile teltif edildiler TarixiIlk tranzistorun sureti Tranzistor uc terminali olan ilk qurgu deyil da tranzistorlardan 50 il evvel eyni meqsede xidmet edirdiler Ilk olaraq 1874 cu ilde Braun piritin kontaktinda duzlendirme hadisesini musahide etdi ve bu sistemin esasinda detektor yaratdi Diger tedqiqatcilar asqarlarin yarimkecirici materiallarin xasselerine guclu tesir gosterdiyini mueyyenlesdirdiler Yarimkecirici elementler elektron lampalarini kecen esrin 40 ci illerinin evvellerinden etibaren sixisdirmaga basladi 1940 ci ilden radioelektron qurgularinda noqtevi germanium diodlari genis tetbiq tapmaga basladi Nehayet 1938 ci ilde Ingilterede Mott Rusiyada Davidov Almaniyada Valter Sottki bir birinden asili olmayaraq metalyarimkecirici kontaktinin duzlendirme nezeriyyesini isleyib hazirladilar Muxtelif olkelerin alimleri terefinden yaradilan tedqiqat proqrami evvelce noqtevi sonra ise mustevi tranzistorun yaranmasina sebeb oldu Elektronikanin ucuncu inkisaf merhelesi noqtevi tranzistorun kesfi ve diskret yarimkecirici cihazlarin yaradilmasi ile baslanir 1946 ci ilde Bell telefon laboratoriyasinda Vilyam Soklinin basciligi ile bir qrup alimler Si ve Ge yarimkeciricilerinin xasselerini nezeri ve tecrubi yolla oyrenmeye basladilar Tecrubeler muxtelif elektrik keciriciliyine malik iki yarimkecirici serhedinde aparilirdi Coxsayli tecrubeler neticesinde ucelektrodlu yarimkecirici cihaz tranzistor ixtira edildi Yukdasiyicilarin muxtelifliyine gore tranzistorlar iki qrupa bolundu unipolyar eyniadli yukdasiyiciya malik sahe tranzistoru bipolyar yukdasiyicilari elektronlardan ve desiklerdenibaret olan tranzistor Sahe tranzistorlarinin yaradilmasi ideyasi bipolyar tranzistorlarin yaradilmasindan xeyli evvel ireli surulmusdu Lakin praktiki olaraq bu ideyani heyata kecirmek mumkun deyildi Ilk defe olaraq 1947 ci il noyabrin 17 den dekabrin 23 ne qeder ve Amerika Birlesmis Statlarindaki Bell laboratoriyasinda tecrubeler apardilar ve musahide etdiler ki tetbiq olunan zaman iki qizil noqte bir biri ile elaqe qurur ve cixis enerjisinin giris enerjisinden daha boyuk oldugu siqnal hasil edilir Berk Maddeler uzre Fizika qrupunun rehberi Vilyam Sokli bu sahede potensialin oldugunu gordu ve bir nece ay erzinde yarimkeciriciler elminin genislenmesi ucun boyuk isler gordu Tranzistor termini ilk defe olaraq Con R Pirs terefinden isledilmisdir ve kecirici ve rezistor sozlerinin birlesmesinden yaranmisdir Lilyan Hudzon ve gore Con Barden ve Sokli bioqrafiyasinin muellifleri teklif etmisdiler ki tranzistor ucun Bell laboratoriyasinin ilk patenti sahe effektine esaslanmalidir ve o ixtiracinin adi ile adlandirilmalidir Melum olmayan iller once Lilienfeld in patentleri ortaya cixdi ve Bell laboratoriyasinin hakimleri Soklinin teklifinin eleyhine qerar verdiler cunki elektrik sahesinde sahe efffekti tranzistorundan tor kimi istifade etmek ideyasi yenilik deyildi Bunun evezinde Barten Bretteyn ve Sokli 1947 ci ilde noqtelerarasi elaqe tranzistorunu kesf etdiler Bunun heyata kecirilmesinin evezinde onlar 1956 ci ilde tranzistorlar uzerinde arasdirmalarina ve tranzistor effektinin kesfine gore fizika sahesinde Nobel mukafati ile teltif olundular HazirlanmasiTranzistorun hazirlanmasi ucun planar diffuziya ve planar epitaksial texnologiyalardan istifade edirler Bipolyar tranzistoru hazirlamaq ucun planar diffuziyali texnologiyada evvelce p tipli altligin sethinde termiki oksidlesme usulu ile silisium oksidden nazik mudafie qati yaradilir Sonra fotolitoqrafiya usulu ile 1 ci oksid uzluyu emele getirmek ucun oksid tebeqesinin uzunu isiga hessas olan emulsiya fotorezist cekilir Fotorezistin uzerine uzluyun teleb olunan resmin sekili salinir alinan tecvir asqarlanir fotorezistin isiq dusen hisseleri xususi mehlulla temizlenerek oksid tebeqesinin ustu acilir Sonra yene mehlulla ustu acilmis sahede oksid tebeqesi hell etdirilib goturulur Neticede inteqral mikrosxemde tranzistorlarin verilen sayina uygun ve teleb olunan sekilde desikler pencereler toplusu yaranir Bu pencerelerden altligin derinliyine n tipli asqarlar diffuziya edilib ve qonsu sahelerden ve altliqdan bagli p n kecidlerle izole n tipli qatlar adaciqlar emele gelir Bunun ucun ikinci oksid uzluyu vasitesile n tipli kollektor rolunu oynayan adaciqlarin derinliyine p tipli asqarin diffuziya kecirilerek p tipli baza qati emele getirilir Buna benzer ucuncu uzlukden n tipli emitter yaradildiqdan sonra dorduncu oksid Planar diffuzuya uzluyunden qatlari ve lazimi elementleri birlesdiren yollarin uzerine metallasdirilmis temaslari toz seklinde sepeleyirler Planar diffuziya texnologiyasinin menfi ceheti odur ki diffuziya altliginin sethinden heyata keciril diyinden p n kecidlerin serhedlerinin deqiqliyi kicik olur ve asqarlar altligin qalinligi boyu beraber paylanmir sethde asqarlarin konsentrasiyasi derinlik lere nisbeten daha cox olur Bu catismazliq planar epitaksial texnologiyasi vasitesi ile aradan qaldirilir Istenilen keciriciliyi malik olan yarimkecirici altligin uzerine qaz fezasinda 10 15 mkm qalinliqli nazik yarimkecirici qatinin artirilmasi prosesine epitaksiya deyilir Epitaksiya neticesinde artirilan qatin kristal qefesi altligin kristal qefesinden tam davami olur Epitaksial qatla altliq izoleedici rol oynayir p n kecidle bir birinden ayrilir Bu texnologiyaya esasen bipolyar tranzistor hazirlamaq ucun p tipli yuksek muqavimetli altliq ve oksid tebeqesi ile orturulmus n tipli epitaksial qatdan istifade edilir Sonra oksid qatdan uzluk duzeldilir ve onun pencerelerinden p tipli asqarin diffuziyasi teskil edilir Neticede epitaksial qatla p planar diffuziya li teznologiyada alinanlara benzer bagli p n kecidlerle izole olunmus adaciqlar yaranir Bundan sonra planar diffuziya texnologiyada oldugu kimi adaciqlar esasinda tranzistor strukturlari formalasdirilir Planar epitaksial texnologiyada asqarlar epitaksial qat boyubca beraber paylanir ve p n kecidlerin serhedleri daha deqiq olur MDY tranzistrlar da bu qayda ile hazirlanir lakin texnoloji emeliyyatlarin sayi 3 3 4 defe tranzistorun tutdugu sahe ise 20 25 defe az olur IstinadlarCalavert J B transisting 4 may 2002 31 March 2022 tarixinde Istifade tarixi 10 dekabr 2012 Eliquliyev R M Salmanova P M Informasiya cemiyyeti maraqli xronoloji faktlar Baki Informasiya Texnologiyalari nesriyyati 2013 169 seh Proffessor David B Haviland The Transistor History 19 dekabr 2002 2018 06 18 tarixinde Istifade tarixi 2013 12 10 2012 08 18 tarixinde orijinalindan arxivlesdirilib Istifade tarixi 2013 12 10 Xarici kecidlerVikianbarda Tranzistor ile elaqeli mediafayllar var Obyasnenie raboty diodov i tranzistorov na analogii s vodoprovodom Istoriya tranzistorov na sajte Bell Labs 2007 09 28 at the Wayback Machine Illyustrirovannoe opisanie processa izgotovleniya tranzistora 2016 12 11 at the Wayback Machine Tranzistor Teoriya Obshie ponyatiya Spravochnik parametrov tranzistorov S chislovymi dannymi i vneshnim vidom