Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Epitaksiya — prosesində nazik təbəqələr kristal altlıq üzərində elə alınır ki, onun strukturu altlığın kristal oriyentasiyasını tamamilə təkrar edir. Epitaksiya texnologiyasının üstünlüyü ondan ibarətdir ki, bu üsulla təmiz təbəqə almaqla yanaşı, həm də aşqarlama dərəcəsini tənzimləmək mümkün olur. Nazik təbəqənin alınmasında üç tip epitaksiya‐ qaz, maye və molekulyar üsullar tətbiq edilirdi. Qazla epitaksiya halında müəyyən konsentrasiyalı hidrogenlə silisium 4‐xlor qarışığı (SiCl4+H2), içərisində qrafit altlıq üzərində silisium təbəqəsi yerləşdirilmiş reaktordan buraxılır. Sonra induksiya qızdırıcısının köməyi ilə qrafit 1000°C‐dən yüksək temperaturlarda qızdırılır. Seçilən temperatur, kristal qəfəsində atomların düzgün oriyentasiyasını və monokristal təbəqənin alınmasını təmin edir. Proses aşağıdakı dönən reaksiya əsasında baş verir:
SiCl4(g) + 2H2(g) ↔ Si(s) + 4HCl(g)
Düzünə reaksiya epitaksiya təbəqəsinin alınmasına, əksinə reaksiya isə altlığın aşınmasına uyğundur. Epitaksiya təbəqəsinin aşqarlanması üçün qaz axınına aşqar atomları əlavə edilir. Bu halda (PH3) donor, dibordan (B2H3) isə akseptor kimi istifadə olunur. Mayeli epitaksiya halında müxtəlif materiallardan təşkil olunmuş çoxlu sayda struktur alınır. Mütəhərrik qurğu ardıcıl olaraq müxtəlif məhlulları altlığa tərəf aparır. Beləliklə, qalınlığı 1 mkm‐dən az olan müxtəlif (Ge‐Si, GaAs‐GaP) materiallardan ibarət heterostrukturlar alınır.
wikipedia, oxu, kitab, kitabxana, axtar, tap, meqaleler, kitablar, oyrenmek, wiki, bilgi, tarix, tarixi, endir, indir, yukle, izlə, izle, mobil, telefon ucun, azeri, azəri, azerbaycanca, azərbaycanca, sayt, yüklə, pulsuz, pulsuz yüklə, haqqında, haqqinda, məlumat, melumat, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, şəkil, muisiqi, mahnı, kino, film, kitab, oyun, oyunlar, android, ios, apple, samsung, iphone, pc, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, web, computer, komputer
Epitaksiya prosesinde nazik tebeqeler kristal altliq uzerinde ele alinir ki onun strukturu altligin kristal oriyentasiyasini tamamile tekrar edir Epitaksiya texnologiyasinin ustunluyu ondan ibaretdir ki bu usulla temiz tebeqe almaqla yanasi hem de asqarlama derecesini tenzimlemek mumkun olur Nazik tebeqenin alinmasinda uc tip epitaksiya qaz maye ve molekulyar usullar tetbiq edilirdi Qazla epitaksiya halinda mueyyen konsentrasiyali hidrogenle silisium 4 xlor qarisigi SiCl4 H2 icerisinde qrafit altliq uzerinde silisium tebeqesi yerlesdirilmis reaktordan buraxilir Sonra induksiya qizdiricisinin komeyi ile qrafit 1000 C den yuksek temperaturlarda qizdirilir Secilen temperatur kristal qefesinde atomlarin duzgun oriyentasiyasini ve monokristal tebeqenin alinmasini temin edir Proses asagidaki donen reaksiya esasinda bas verir SiCl4 g 2H2 g Si s 4HCl g Duzune reaksiya epitaksiya tebeqesinin alinmasina eksine reaksiya ise altligin asinmasina uygundur Epitaksiya tebeqesinin asqarlanmasi ucun qaz axinina asqar atomlari elave edilir Bu halda PH3 donor dibordan B2H3 ise akseptor kimi istifade olunur Mayeli epitaksiya halinda muxtelif materiallardan teskil olunmus coxlu sayda struktur alinir Muteherrik qurgu ardicil olaraq muxtelif mehlullari altliga teref aparir Belelikle qalinligi 1 mkm den az olan muxtelif Ge Si GaAs GaP materiallardan ibaret heterostrukturlar alinir