Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Bərk cisim və ya Qatı — maddənin 4 aqreqat hallarıdan (bərk, maye, qaz, plazma) biridir. Bərk cism başqa aqreqat hallarından öz formasının stabilliyi ilə fərqlənir. Bərk cismin forma stabilliyi onun tərkibində atomlararası əlaqələrin güclü olması, atomların nisbətən taraz vəziyyətdə olmaları və çox zəif titrəyişli hərəkət etmələrinin nəticəsində alınır.
Bərk cismlər kristallik və ya amorf hallarına görə fərqlənirlər. Bərk cismlərinin tərkibini və daxili strukturasını öyrənən fizika bölməsi bərk cismlər fizikası adlanır. Bərk cismin xarici təsirlərin və hərəkətin nəticəsində necə dəyişilməsini — bərk cismlərin mexanikası, absolyut bərk cismlərinin hərəkətini — bərk cismlərinin kinematikası adlı elmlər öyrənillər.
Bərk cismlərin texniki xassələri
- Bərklik
- Kütlə
- Plastiklik
- Əyilmə möhkəmliyi
- Sınma möhkəmliyi
Bərk cismlərin elektronikasında istifadə edilən məmulatlar
Bərk cisim elektronikasında istifadə edilən məmulatlar — (tərif) geniş istifadə olunan matreallardan yarımkeçiricilər.
Materialların təsnifatı
Bərk cisim elektronikası (BCE) cihazlarının istehsalında istifadə olunan materiallar 2 qrupa bölünür:
- əsas (və ya konstruktiv)
- köməkçi (və ya texnoloji)
Əsas material
Əsas materiala dedikdə birbaşa cihazın konstruksiyasına daxil olan materiallar nəzərdə tutulur. Əsas materilları, öz növbəsində, aşağıdakı qruplara bölmək olar
- yarımkeçirici materiallar – germanium, silisium, qallium arsenid və s.;
- legirəedici (aşqarlayıcı) materiallar – yüksək təmizliyə malik ayrı-ayrı elementlər və ya onların xəlitələri;
- elektrod materialları – qızıl, nikel, kövar, molibden (daxili və xarici) çıxışları düzəltmək üçün);
- izolyasiya materialları – şüşə keramika, üzvi laklar;
- mühafizəedici korpus (gövdə) materialları – mis, kovar, polad;
- antikorrozion örtüklər – xrom, nikel
Materialların sərfiyyat norması
Materialların sərfiyyat norması 1000 ədəd yararlı cihaz hazırlamaq üçün tələb olunan materialın miqdarı ilə müəyyən olunur. Yarımkeçirici materialın seçilməsi, onun təmizliyi və legirə olunma dərəcəsi, istehsalatda onların təkrarlanması cihazların xarakteristikalarına və onların istehsalında yararlı cihazların çıxımına həlledici təsir göstərir. Qeyd etmək lazımdır ki, yarımkeçiricinin elektrik müqaviməti onun təmizlənməsindən sonra onun tərkibində qalan və ya ona lazımi keçiricilik tipi vermək üçün xüsusi olaraq daxil edilmiş çox az miqdar aşqarlarla müəyyən olunur. Buna görə də, yarımkeçirici metallurgiyanın fərqli xüsusiyyətlərindən biri kimyəvi və spektral təhlil (analiz) üsullarının həssaslığından qat-qat yüksək təmizliyə malik olan maddələrdən istifadə olunmasıdır.
Yarımkeçirici materiallara qoyulan tələblər
Müxtəlif yarımkeçirici cihazlar üçün müxtəlif xassələr və keyfiyyətlərə malik materialları lazımdır. Hal-hazırda ən ciddi tələblər tranzistorlar və inteqral mikrosxemlərin istehsalında irəli sürülür. Onların normal işləməsi üçün yarımkeçirici materiallar aşağıdakı tələblərə cavab verməlidir:
- Monokristallik quruluş mükəmməl olmalıdır;
- Yaxşı nəzərə çarpan donor və ya akseptor xassələrinə malik olmaldır;
- Qeyri-əsas yükdaşıyıcıların yaşama müddəti kifayət qədər böyük olmalıdır;
- Tələb olunan xüsusi müqavimət əvvəlcədən təmizlənmiş başlanğıc materialına müəyyən aşqarların vurulması ilə alınmalıdır;
- Qadağan olunmuş zolağın eni verilən temperatur diapazonunda cihazların stabil işini təmin etməlidir;
- Yarımkeçiriciyə vurulan aşqarlar cihazın minimalm işçi temperaturunda artıq tamamilə ionlaşmış olmalıdır;
- İstilikkeçirmə əmsalı istiliyin kristalın daxili hissələrindən kənara aparılmasını təmin etməlidir;
- Materialın alınma texnologiyası onun kütləvi istehsalı imkanını təmin etməldir.
Əsas yarımkeçirici materiallar
Bərk cisim elektronikası cihazlarının hazırlanmasında son zamanlara qədər ən çox işlənən yarımkeçirici materiallar germanium (Ge) və silisium (Sİ) olmuşdur. Lakin son illər qallium və indiumun arsenidləri, antimonidləri və fosfidləri daha geniş tətbiq olunmağa başlamışdır. Bu materialların içərisində elektron texnikası üçün, o cümlədən bərk cisim eletronikası cihazlarının hazırlnması üçün ən perspektivli material qallium arseniddir (GaAS). Bu, bir tərəfdən onunla bağlıdır ki, germanium və silisiumun inteqral elektronikada istifadə imkanı get-gedə azalır, çünki elekton cihazlarının daha da miniatürləşdirilməsi bərk cisimlərdə ölçü effektləri ilə bağlı prinsipial məhdudiyylərlə qarşılaşır. Digər tərəfdən isə qallium arseniddə (GaAs) yükdaşıyıcıların yürüklüyünün böyük olması və onun əsasında ifrat yüksək sürətlə işləyə bilən inteqral sxemlər, optoelektron qurğular, müxtəlif ifrat yüksək tezlik cihazları, yarımkeçirici lazerlər və s. yaratmağa imkan verir. Onu da qeyd etmək vacibdir ki, əgər germaniumdan hazırlanan tranzistorlar üçün maksimal işçi temperatur +50 ÷ +70 ℃, silisiumdan hazırlanan tranzistorlar üçün +85 ÷ +130 ℃ -dirsə, GaAs əsasında hazırlanan tranzistorlar +250℃ — yə qədər temperaturlarda işləyə bilir.
Beləliklə, silisiumdan qallium arsenidə və yuxarıda salanan AIIIBV birləşmlərinə keçid bu materiallarda yükdaşıyıcıların daha böyük yürüklüyə malik olması səbəbindən inteqral mikrosxemlərin işləmə sürətini artırmağa imkan yarada bilər. İnteqral mikrosxemlərin silisium üçün mümkün olan ən böyük işləmə sürəti əldə edildikdən sonra onun yerini GaAs tutacaq. Bu materialın əsasında artıq idarəedici keçidli və heterokeçidli sahə tranzistorları, yük rabitəli və s. cihazlar yaradılmışdır. GaAs əsasında yaradılan işıq enerjisi çeviricilərinin faydalı iş əmsalı Si əsasında yaradılan cihazınkından yüksəkdir. Bundan başqa, GaAs yüksək temperaturlarda iş qabiliyyətini itirmir, radiasiyaya qarşı daha davamlıdır. Buna görə də GaAs əsasında günəş batareyalarından kosmosda istifadə edilməsinin böyük perspektivləri vardır.
 | Fizika ilə əlaqədar bu məqalə qaralama halındadır. Məqaləni redaktə edərək Vikipediyanı zənginləşdirin. Etdiyiniz redaktələri mənbə və istinadlarla əsaslandırmağı unutmayın. |
wikipedia, oxu, kitab, kitabxana, axtar, tap, meqaleler, kitablar, oyrenmek, wiki, bilgi, tarix, tarixi, endir, indir, yukle, izlə, izle, mobil, telefon ucun, azeri, azəri, azerbaycanca, azərbaycanca, sayt, yüklə, pulsuz, pulsuz yüklə, haqqında, haqqinda, məlumat, melumat, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, şəkil, muisiqi, mahnı, kino, film, kitab, oyun, oyunlar, android, ios, apple, samsung, iphone, pc, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, web, computer, komputer
Berk cisim ve ya Qati maddenin 4 aqreqat hallaridan berk maye qaz plazma biridir Berk cism basqa aqreqat hallarindan oz formasinin stabilliyi ile ferqlenir Berk cismin forma stabilliyi onun terkibinde atomlararasi elaqelerin guclu olmasi atomlarin nisbeten taraz veziyyetde olmalari ve cox zeif titreyisli hereket etmelerinin neticesinde alinir Berk cismlerde atomlarin yerlesmesi modeli Berk cismler kristallik ve ya amorf hallarina gore ferqlenirler Berk cismlerinin terkibini ve daxili strukturasini oyrenen fizika bolmesi berk cismler fizikasi adlanir Berk cismin xarici tesirlerin ve hereketin neticesinde nece deyisilmesini berk cismlerin mexanikasi absolyut berk cismlerinin hereketini berk cismlerinin kinematikasi adli elmler oyreniller Berk cismlerin texniki xasseleriBerklik Kutle Plastiklik Eyilme mohkemliyi Sinma mohkemliyiBerk cismlerin elektronikasinda istifade edilen memulatlarBerk cisim elektronikasinda istifade edilen memulatlar terif genis istifade olunan matreallardan yarimkeciriciler Materiallarin tesnifati Berk cisim elektronikasi BCE cihazlarinin istehsalinda istifade olunan materiallar 2 qrupa bolunur esas ve ya konstruktiv komekci ve ya texnoloji Esas material Esas materiala dedikde birbasa cihazin konstruksiyasina daxil olan materiallar nezerde tutulur Esas materillari oz novbesinde asagidaki qruplara bolmek olar yarimkecirici materiallar germanium silisium qallium arsenid ve s legireedici asqarlayici materiallar yuksek temizliye malik ayri ayri elementler ve ya onlarin xeliteleri elektrod materiallari qizil nikel kovar molibden daxili ve xarici cixislari duzeltmek ucun izolyasiya materiallari suse keramika uzvi laklar muhafizeedici korpus govde materiallari mis kovar polad antikorrozion ortukler xrom nikelMateriallarin serfiyyat normasi Materiallarin serfiyyat normasi 1000 eded yararli cihaz hazirlamaq ucun teleb olunan materialin miqdari ile mueyyen olunur Yarimkecirici materialin secilmesi onun temizliyi ve legire olunma derecesi istehsalatda onlarin tekrarlanmasi cihazlarin xarakteristikalarina ve onlarin istehsalinda yararli cihazlarin ciximina helledici tesir gosterir Qeyd etmek lazimdir ki yarimkeciricinin elektrik muqavimeti onun temizlenmesinden sonra onun terkibinde qalan ve ya ona lazimi keciricilik tipi vermek ucun xususi olaraq daxil edilmis cox az miqdar asqarlarla mueyyen olunur Buna gore de yarimkecirici metallurgiyanin ferqli xususiyyetlerinden biri kimyevi ve spektral tehlil analiz usullarinin hessasligindan qat qat yuksek temizliye malik olan maddelerden istifade olunmasidir Yarimkecirici materiallara qoyulan telebler Muxtelif yarimkecirici cihazlar ucun muxtelif xasseler ve keyfiyyetlere malik materiallari lazimdir Hal hazirda en ciddi telebler tranzistorlar ve inteqral mikrosxemlerin istehsalinda ireli surulur Onlarin normal islemesi ucun yarimkecirici materiallar asagidaki teleblere cavab vermelidir Monokristallik qurulus mukemmel olmalidir Yaxsi nezere carpan donor ve ya akseptor xasselerine malik olmaldir Qeyri esas yukdasiyicilarin yasama muddeti kifayet qeder boyuk olmalidir Teleb olunan xususi muqavimet evvelceden temizlenmis baslangic materialina mueyyen asqarlarin vurulmasi ile alinmalidir Qadagan olunmus zolagin eni verilen temperatur diapazonunda cihazlarin stabil isini temin etmelidir Yarimkeciriciye vurulan asqarlar cihazin minimalm isci temperaturunda artiq tamamile ionlasmis olmalidir Istilikkecirme emsali istiliyin kristalin daxili hisselerinden kenara aparilmasini temin etmelidir Materialin alinma texnologiyasi onun kutlevi istehsali imkanini temin etmeldir Esas yarimkecirici materiallar Berk cisim elektronikasi cihazlarinin hazirlanmasinda son zamanlara qeder en cox islenen yarimkecirici materiallar germanium Ge ve silisium SI olmusdur Lakin son iller qallium ve indiumun arsenidleri antimonidleri ve fosfidleri daha genis tetbiq olunmaga baslamisdir Bu materiallarin icerisinde elektron texnikasi ucun o cumleden berk cisim eletronikasi cihazlarinin hazirlnmasi ucun en perspektivli material qallium arseniddir GaAS Bu bir terefden onunla baglidir ki germanium ve silisiumun inteqral elektronikada istifade imkani get gede azalir cunki elekton cihazlarinin daha da miniaturlesdirilmesi berk cisimlerde olcu effektleri ile bagli prinsipial mehdudiyylerle qarsilasir Diger terefden ise qallium arsenidde GaAs yukdasiyicilarin yurukluyunun boyuk olmasi ve onun esasinda ifrat yuksek suretle isleye bilen inteqral sxemler optoelektron qurgular muxtelif ifrat yuksek tezlik cihazlari yarimkecirici lazerler ve s yaratmaga imkan verir Onu da qeyd etmek vacibdir ki eger germaniumdan hazirlanan tranzistorlar ucun maksimal isci temperatur 50 70 silisiumdan hazirlanan tranzistorlar ucun 85 130 dirse GaAs esasinda hazirlanan tranzistorlar 250 ye qeder temperaturlarda isleye bilir Belelikle silisiumdan qallium arsenide ve yuxarida salanan AIIIBV birlesmlerine kecid bu materiallarda yukdasiyicilarin daha boyuk yurukluye malik olmasi sebebinden inteqral mikrosxemlerin isleme suretini artirmaga imkan yarada biler Inteqral mikrosxemlerin silisium ucun mumkun olan en boyuk isleme sureti elde edildikden sonra onun yerini GaAs tutacaq Bu materialin esasinda artiq idareedici kecidli ve heterokecidli sahe tranzistorlari yuk rabiteli ve s cihazlar yaradilmisdir GaAs esasinda yaradilan isiq enerjisi ceviricilerinin faydali is emsali Si esasinda yaradilan cihazinkindan yuksekdir Bundan basqa GaAs yuksek temperaturlarda is qabiliyyetini itirmir radiasiyaya qarsi daha davamlidir Buna gore de GaAs esasinda gunes batareyalarindan kosmosda istifade edilmesinin boyuk perspektivleri vardir Fizika ile elaqedar bu meqale qaralama halindadir Meqaleni redakte ederek Vikipediyani zenginlesdirin Etdiyiniz redakteleri menbe ve istinadlarla esaslandirmagi unutmayin