Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Elmira Cəfərova Əsəd qızı (7 iyun 1937) — AMEA Fizika İnstitutunun alimi.
| Elmira Cəfərova | |
|---|---|
| Elmira Cəfərova Əsəd qızı | |
 | |
| Doğum tarixi | |
| Doğum yeri | Naxçıvan Muxtar Respublikası, Naxçıvan şəhəri |
| Vətəndaşlığı | Azərbaycan |
| Milliyyəti | Azərbaycanlı |
| Atası | Əsəd |
| Anası | Hökümə |
| Elm sahələri | Bərk cisim elektronikası, mikroelektronika və heteroquruluşlar fizikası |
| Elmi dərəcəsi | fizika-riyaziyyat elmləri doktoru |
| Elmi adı | Laboratoriya rəhbəri |
| İş yeri | AMEA Fizika İnstitutu |
| Alma-mater | Moskva Dövlət Universiteti |
| Təhsili | Ali |
| Elmi rəhbərləri | akademik Həsən Abdullayev, professor Zərifə İsgəndərzadə |
| Mükafatları | “International personality of the year 2001” - The International Biographical Centre of Cambridge. AMEA Fizika-Riyaziyyat və Texnika Elmləri Bölməsinin “Fəxri Fərmanı” (2002, 2012), Fizika İnstitutunun Fəxri Fərmanı (2015). |
Həyatı
Elmira Cəfərova 1937-ci il iyun ayının 7-də Naxçıvan Muxtar Respublikası Naxçıvan şəhərində ziyalı ailəsində anadan olub. O, 1961-ci ildə Moskva Dövlət Universitetinin fizika fakültəsini bitirib və təyinatla AMEA Fizika İnstitutuna göndərilib. Burada görkəmli alim, akademik H. M. Abdullayevin rəhbərlik etdiyi yarımkeçiricilər laboratoriyasında elmi işçi kimi əmək fəaliyyətinə başlayıb. O, 1968-ci ildə "Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası" ixtisası üzrə "Diffuziya yolu ilə alınmış n- və p- bazalı silisium diodlarının reaktiv xassələrinin tədqiqi" mövzusunda namizədlik dissertasiyasını müdafiə edib. Elmira Cəfərova 1969-cu ildə yeni yaradılmış "Heteroquruluşlar fizikası" laboratoriyasında böyük elmi işçi, aparıcı elmi işçi vəzifələrində işləmiş və 2000-ci ildən hal-hazıradək həmin laboratoriyanın rəhbəri vəzifəsində çalışır. 2007-ci ildə isə "Dərin aşqar səviyyəli germanium, silisium və onlar əsasında çəpər quruluşlarda qeyri-stasionar elektron prosesləri" mövzusunda "Fiziki elektronika" ixtisası üzrə doktorluq dissertasiyasını müdafiə edib.
- Elmi əsərlərinin sayı-160
- Xaricdə dərc olunan əsərlərinin sayı-70
- Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda (Web of Science, Scopus və s.) dərc olunan əsərlərinin sayı -40
- Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı-10
- Elmi-pedaqoji fəaliyyəti — 1978–1990-cı illərdə Azərbaycan Texniki Universitetinin "Mikroelektronika" kafedrasında mühazirələr oxumuş və elektron texnikası mühəndisliyi üzrə mütəxəssislərin hazırlanmasında fəal iştirak etmişdir
- Dil bilikləri- rus, ingilis dilləri
- Əsas elmi nəticələri — Qeyri-stasionar tutum spektroskopiyası, fotokeçiricilik, fototutum və EPR metodlarından istifadə edərək germanium, silisium və onların əsasında yaradılan baryer quruluşlarda qeyr-stasionar elektron proseslərinin mexanizmləri araşdırılmış, keçid metalların (Ti, V, W, və Ni) Ge və Si-da yaratdığı dərin səviyyələrin əsas energetik parametrləri təyin edilmişdir. Al-SiO2-Si-Me, In2O2-SiO2-Si-Me quruluşları alınmış, onların elektrik, fotoelektrik, aşırma xarakteristikaları öyrənilmiş, rastrelektron mikroskopunda tədqiqatlar aparılmış, onlar əsasında aşırıcı və yaddaş elementləri yaradılmışdır. Moskva şəhərinin Dubna vilayətindəki Birləşmiş Nüvə Tədqiqatları İnstitutu ilə birgə Si əsasında yeni tipli foroqəbuledici detektorlar yaradılmış və onların əsas xassələri öyrənilmişdir. Hazırlanmış koordinat həssaslıqlı detektorlar tək-tək işıq kvantlarını yüksək effektivliklə qeyd etməyə qabildirlər. Selvari fotodiodlarda pikselləri yüksək sıxlığa malik olması (1,5•104 piksel/mm2) geniş diapazonda fotocavabın xəttiliyini təmin edir və bu fotodiodlar nüvə fizikası sahəsində, tibb sahəsində pozitron-emissiya tomoqraflarında, elmi tətqiqatlarda tətbiq oluna bilər.
Əsas elmi əsərləri
1. Investigation of p-n junctions n-Si obtained by electromigration of although a thin SiO2 film, Sol. Stat. Communication 1984, V49, № 3, p.273.
2. Сечение фотоионизации уровней Ni в Si, ФТП, 1987, т.21, в.12, с.2237
3.Исследование влияние электронного облучения на структуру GaSe-SiO2, ФТП,2002, т.36, № 7, с.858.
4. Влияние электроактивного Ni на свойства Si при низкотемпературном отжиге, Неорганические материалы, 2010, т.46, в.10, с.1163.
5. Features of barrier capacitance of micropixel avalance photodiodes at different frequency, Universal journal of Physics and Applications, 2016, 1–4, p.10.
6. The equivalent inductance silicon micropixel avalance photodiodes. JOSR of Engineering, 2017, V.7, № 5, p.50–53.
Elmi-təşkilati fəaliyyəti
AMEA Fizika İnstitutu Elmi Şurasının üzvü
İstinadlar
http://www.science.gov.az/forms/doktora-nauk-instituta-fiziki/835"
wikipedia, oxu, kitab, kitabxana, axtar, tap, meqaleler, kitablar, oyrenmek, wiki, bilgi, tarix, tarixi, endir, indir, yukle, izlə, izle, mobil, telefon ucun, azeri, azəri, azerbaycanca, azərbaycanca, sayt, yüklə, pulsuz, pulsuz yüklə, haqqında, haqqinda, məlumat, melumat, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, şəkil, muisiqi, mahnı, kino, film, kitab, oyun, oyunlar, android, ios, apple, samsung, iphone, pc, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, web, computer, komputer
Elmira Ceferova Esed qizi 7 iyun 1937 AMEA Fizika Institutunun alimi Elmira CeferovaElmira Ceferova Esed qiziDogum tarixi 7 iyun 1937 87 yas Dogum yeri Naxcivan Muxtar Respublikasi Naxcivan seheriVetendasligi AzerbaycanMilliyyeti AzerbaycanliAtasi EsedAnasi HokumeElm saheleri Berk cisim elektronikasi mikroelektronika ve heteroquruluslar fizikasiElmi derecesi fizika riyaziyyat elmleri doktoruElmi adi Laboratoriya rehberiIs yeri AMEA Fizika InstitutuAlma mater Moskva Dovlet UniversitetiTehsili AliElmi rehberleri akademik Hesen Abdullayev professor Zerife IsgenderzadeMukafatlari International personality of the year 2001 The International Biographical Centre of Cambridge AMEA Fizika Riyaziyyat ve Texnika Elmleri Bolmesinin Fexri Fermani 2002 2012 Fizika Institutunun Fexri Fermani 2015 HeyatiElmira Ceferova 1937 ci il iyun ayinin 7 de Naxcivan Muxtar Respublikasi Naxcivan seherinde ziyali ailesinde anadan olub O 1961 ci ilde Moskva Dovlet Universitetinin fizika fakultesini bitirib ve teyinatla AMEA Fizika Institutuna gonderilib Burada gorkemli alim akademik H M Abdullayevin rehberlik etdiyi yarimkeciriciler laboratoriyasinda elmi isci kimi emek fealiyyetine baslayib O 1968 ci ilde Yarimkeciriciler ve dielektrikler fizikasi ixtisasi uzre Diffuziya yolu ile alinmis n ve p bazali silisium diodlarinin reaktiv xasselerinin tedqiqi movzusunda namizedlik dissertasiyasini mudafie edib Elmira Ceferova 1969 cu ilde yeni yaradilmis Heteroquruluslar fizikasi laboratoriyasinda boyuk elmi isci aparici elmi isci vezifelerinde islemis ve 2000 ci ilden hal haziradek hemin laboratoriyanin rehberi vezifesinde calisir 2007 ci ilde ise Derin asqar seviyyeli germanium silisium ve onlar esasinda ceper quruluslarda qeyri stasionar elektron prosesleri movzusunda Fiziki elektronika ixtisasi uzre doktorluq dissertasiyasini mudafie edib Elmi eserlerinin sayi 160 Xaricde derc olunan eserlerinin sayi 70 Beynelxalq bazalarda indekslesen jurnallarda Web of Science Scopus ve s derc olunan eserlerinin sayi 40 Muelliflik sehadetnamelerinin ve patentlerin sayi 10 Elmi pedaqoji fealiyyeti 1978 1990 ci illerde Azerbaycan Texniki Universitetinin Mikroelektronika kafedrasinda muhazireler oxumus ve elektron texnikasi muhendisliyi uzre mutexessislerin hazirlanmasinda feal istirak etmisdir Dil bilikleri rus ingilis dilleri Esas elmi neticeleri Qeyri stasionar tutum spektroskopiyasi fotokeciricilik fototutum ve EPR metodlarindan istifade ederek germanium silisium ve onlarin esasinda yaradilan baryer quruluslarda qeyr stasionar elektron proseslerinin mexanizmleri arasdirilmis kecid metallarin Ti V W ve Ni Ge ve Si da yaratdigi derin seviyyelerin esas energetik parametrleri teyin edilmisdir Al SiO2 Si Me In2O2 SiO2 Si Me quruluslari alinmis onlarin elektrik fotoelektrik asirma xarakteristikalari oyrenilmis rastrelektron mikroskopunda tedqiqatlar aparilmis onlar esasinda asirici ve yaddas elementleri yaradilmisdir Moskva seherinin Dubna vilayetindeki Birlesmis Nuve Tedqiqatlari Institutu ile birge Si esasinda yeni tipli foroqebuledici detektorlar yaradilmis ve onlarin esas xasseleri oyrenilmisdir Hazirlanmis koordinat hessasliqli detektorlar tek tek isiq kvantlarini yuksek effektivlikle qeyd etmeye qabildirler Selvari fotodiodlarda pikselleri yuksek sixliga malik olmasi 1 5 104 piksel mm2 genis diapazonda fotocavabin xettiliyini temin edir ve bu fotodiodlar nuve fizikasi sahesinde tibb sahesinde pozitron emissiya tomoqraflarinda elmi tetqiqatlarda tetbiq oluna biler Esas elmi eserleri1 Investigation of p n junctions n Si obtained by electromigration of although a thin SiO2 film Sol Stat Communication 1984 V49 3 p 273 2 Sechenie fotoionizacii urovnej Ni v Si FTP 1987 t 21 v 12 s 2237 3 Issledovanie vliyanie elektronnogo oblucheniya na strukturu GaSe SiO2 FTP 2002 t 36 7 s 858 4 Vliyanie elektroaktivnogo Ni na svojstva Si pri nizkotemperaturnom otzhige Neorganicheskie materialy 2010 t 46 v 10 s 1163 5 Features of barrier capacitance of micropixel avalance photodiodes at different frequency Universal journal of Physics and Applications 2016 1 4 p 10 6 The equivalent inductance silicon micropixel avalance photodiodes JOSR of Engineering 2017 V 7 5 p 50 53 Elmi teskilati fealiyyetiAMEA Fizika Institutu Elmi Surasinin uzvuIstinadlarhttp www science gov az forms doktora nauk instituta fiziki 835