Amorf yarımkeçiricilər

Amorf yarımkeçiricilər (A.y) — amorf maddə olub, yarımkeçirici xassələrinə malikdirlər. A.y.-kovalent A.y.-ə (Ge və Si, GaAs və s. amorf halında), halkogenid şüşələrə (məs., As₃₁ Ge₃₀ Se₂₁ Те₁₈), oksid şüşələrinə (məs., В₂О₅-P₂О₅) və dielektrik nazik təbəqələrə (SiO_х, AL₂О₃, Si₃ Н₄ və s.) ayrılır. A.y.-nə yüksək leqirlənmiş kompensə edilmiş yarımkeçirici kimi də baxmaq olar ki, onun keçiricilik zonasının "dibi" və valent zonasının "tavanı" enib-qalxır, lakin bu dəyişmə (fluktuasiya) qadağan olunmuş zonanın eni ${\displaystyle \varepsilon }$ _D tərtibindədir. Keçiricilik zonasındakı elektronlar və valent zonasındakı deşiklər hündür çəpərlərlə ayrılmış potensial relyefin çuxurlarında yerləşən "damcılara" ayrılır. Aşağı temperaturlarda elektrik keçiriciliyi sıçrayışlı xarakter daşıyır. Daha yüksək temperaturlarda A.y.-in elektronların delokallaşmış hal oblastına istiliklə ötürülməsi ilə əlaqədardır. A.y. bir sıra nadir xassələrə malikdirlər ki, bu da onların müxtəlif praktiki tətbiqi üçün imkanlar yaradır. Halkogenid şüşələr spektrin İQ oblastındakı şəffaflığına, yüksək müqavimətinə və fotohəssaslığına görə ötürücü televiziya borularının elektrofotoqrafik lövhələrinin hazırlanması üçün və holoqram yazılarında tətbiq olunur. A.y.-də işə düşmə zamanı ${\displaystyle \leq }$10⁻¹⁰−10⁻¹² s olan elementlərin yaradılmasına imkan verən yüksək omlu haldan aşağı omlu hala və əksinə keçmə aşırıcı effekt mövcuddur.

Amorf və şüşəvari yarımkeçiricilər

Amorf və şüşəvari maddələr olub, yarımkeçirici xassələrinə malikdirlər. A.və ş.y. yaxın nizamlılığın mövcudluğu və uzaq nizamlılığın yoxluğu ilə xarakterizə olunurlar. A. və ş.y. tərkibə və quruluşa görə halkogenidlərə, oksidlərə, üzvülərə, tetraedriklərə ayrılırlar. Ən yaxşı öyrənilib halkogenid şüşəvarilər (HŞY) və elementar tetraedriklər (ETAY). HŞY-i əsasən, ya ərintini soyutmaqla, ya da vakuumda buxarlanma ilə alırlar. Buraya Se və Те, həmçinin müxtəlif metal (məs., As-S-Se, As-Ge-Se-Те, As-Sb-S-Se, Ge-S-Se, Ge-Pb-S) halkogenidlərinin (sulfidlər, selenidlər, telluridlər) iki və çox komponentli ərintiləri aiddir. ETAY (amorf Ge və Si)-ni müxtəlif hidrogentərkibli atmosferlərdə ion tozlandırılmasıyla və ya onların qazlarının dissosiasiyasından (xüsusilə, Si H₄ və ya GeH₄) yüksəktezlikli boşalmalarda alırlar.

A. və ş.y.-in xüsusiyyətləri elektronların energetik spektrlərinin xüsusiyyətlərilə əlaqədardır. Elektron hallarının yuxarı və aşağı sıxlıqlı energetik oblastlarının mövcudluğu-yaxın nizamlılığın nəticəsidir. Ona görə də qeyri-kristallik maddələrin zona quruluşu haqqında şərti danışmaq olar. Lakin quruluşun nizamsızlığı əlavə icazəli elektron hallarının yaranmasına gətirib çıxarır ki, onların sıxlığı ${\displaystyle g(\varepsilon )}$ hal sıxlığı "quyruqları" yaradaraq qadağan olunmuş zonanın dərinliyinə düşür. "Quyruqlarda" elektron halları lokallaşmış və delokallaşmış (cərəyan keçirici) hallara bölünür. Bu hallar arasında kəsgin sərhəd yürüklük kənarları, onlar arasındakı məsafə isə yürüklüyə görə ${\displaystyle \varepsilon }$^M_g qadağan olunmuş zona (və ya yarıq) adlanır.

İstinadlar

• Полтавцев Ю.Г. "Структура полупроводников в некристаллических состояниях", "УФН", 1976

• Адлер Д. "Приборы на аморфных полупроводниках"

• Мотт Н., Дэвис Э. "Электронные процессы в некристаллических веществах", М.1982;