Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Bu məqaləni lazımdır. |
Bu məqalənin cavab vermədiyinə dair şübhələr var. Lütfən, ensiklopedikliyi təsdiq etmək üçün məqalənin mövzusuna uyğun əlavə edin. Əgər belə mənbələr göstərilməzsə, məqalə birləşdirilə, köçürülə, yönləndirilə və ya silinə bilər. |
| Oqtay Tağıyev | |
|---|---|
 | |
| Doğum tarixi | |
| Doğum yeri | Azərbaycan Respublikası Bakı şəhəri |
| Vətəndaşlığı | Azərbaycan |
| Milliyyəti | Azərbaycanlı |
| Atası | |
| Anası | Fatma Tağıyeva |
| Elm sahəsi | |
| Elmi dərəcəsi | Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru |
| Elmi adı | Professor |
| İş yeri | AMEA Fizika İnstitutu |
| Alma-mater | Bakı Dövlət Universiteti |
| Təhsili | Ali |
| Tanınır | Respublikada və xarici ölkələrdə |
Həyatı
Oqtay Bahadir oğlu Tagıyev 1958-ci il fevralın 10-da Bakı şəhərində anadan olub, 1980-ci ildə Azərbaycan Dövlət Universitetinin fizika fakültəsini bitirmişdir. O. B. Tağıyev 1981–2007-ci illddə AMEA-nın Fizika İnstitutunda disertant, böyük elmi işçi, aparıcı elmi işçi vəzifələrində işləmişdir. Hal-hazırda O. B. Tağıyev Fizika İnstitutunda "Yarimkeçiricilərdə tarazlıqda olmayan elektron proseslərinin fizikası" laboratoriyasına rəhbərlik edir.
Elmi əsərlərinin sayı –242 Xaricdə dərc olunan əsərlərinin sayı – 127 Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda(Web of Science Scopus və s.) dərc olunan əsərlərinin sayı – 106 İstinadlarının sayı –571, h-index= 12(Google scholar) ; 292, h-index= 7 (THOMSON REUTERS)
Müəlliflik şəhadətlərinin və patentlərin sayı: –15
Elmi-pedaqoji fəaliyyəti: 5 il Azərbaycan Dövlət Nef və Sənaye Universitetində və 8 il Moskva Dövlət Universitetinin Bakı filialında pedaqoji fəaliyyət göstərir.
Dil bilikləri – ana dili, rus və ingilis dili
Əsas elmi nəticələri
- İlk dəfə olaraq çoxrəngli CaGa2S4 : Ce, Pr birləşməsinin fotolüminessensiya spektrində 469, 494,516, 539, 545, 610, 632, 653,742nm dalğa uzunluqlu maksimumlar müşahidə olunmuşdur. Göstərilmişdir ki, bu çoxrəngli fosfor 405–450nm intervalında şüalanan İnGaN göy işıq diodu ilə kombinasiya olunduqda ağ işıq mənbələri yaratmaq mümkündür.
- Müəyyən edilmişdir ki, 10–300K temperatur intervalında InGaN(λhəy= 367nm) işıq dioduyla CaxBa1-xGa2S4:Eu kristalını həyacanlandırdıqda şualanma intensivliyinin yüksək dərəcədə sabitliyi müşahidə olunur. Məhlulun tərkibində Ca miqdarının x=0.1–0.5 intervalında dəyişməsi ilə əlaqədar FL spektrindəki maksimum 506 nm-dən 531nm-ə qədər dəyişir. Müəyyən edilmişdir ki, CaxBa1-xGa2S4:Eu birləşməsinin tərkibində Ca miqdarının artması kristal sahəsinin artmasına səbəb olur ki, bu da Eu ionunun 5d orbitalının parçalanmasına və 4f65d-4f7 keçidinin enerjisinin azalmasına gətirir.
- İlk dəfə olaraq CaxBa1-xGa2S4:Eu2+ bərk məhlullarının FL-nın spektrlərinə və intensivliyinə temperaturun təsiri öyrənilmişdir. Temperaturun 10K-dən 300K-ə qədər artması ilə FL-nın inteqral intensivliyi yalnız 13% azalır, spektrin energetik vəziyyəti yüksək stabillik nümayiş etdirir. Müəyyən edilmişdir ki, CaxBa1-xGa2S4:Eu2+ bərk məhlullarında Ca-un miqdarının artması FL-nıntemperatur sürüşməsinin azalmasına gətirir, x³0.5 olduqda sürüşmə yoxdur.
- İlk dəfə olaraq CaxBa1-xGa2S4:Eu2+, CaGa2S4:Er3+, CaGa2S4:Pr3+, EuGa2S4:Er3+ xalkogenid yarımkeçiricilərinin mikroovuntularında həyəcanlandırıcı şüanın gücünün FL-nın spektr və efektivliyinə təsiri öyrənilmişdir. Həyəcanlandırıcı şüanın gücünün geniş intervalında (102–107 Vt/sm2), şüalanma spektrinin forma və vəziyyətinin stabilliyi müşahıdə olunmuşdur. Müəyyən edilmişdir ki, CaxBa1-xGa2S4:Eu2+ bərk məhlullarında və CaGa2S4:Er3+, CaGa2S4:Pr3+ birləşmələrində şüalanma rekombinasiyasının effektivliyinin doyma halı uyğun olaraq gücün — 2•104Vt/sm2, 100 Vt/см2 , 105Vt/sm2 və daha yüksək qiymətlərində nəzərə çarpır.
- Geniş temperatur intervalında (4,2500K) effektiv şüalanan üçlü halkogenid yarımkeçiriciləri (CaGa2S4, Sr Ga2S4, Ba Ga2S4, BaAl2S4, CaSiO3 və s.) vakuumda və vakuumsuz alinma texnologiyasının fiziki, texnoloji əsasları işləmiş, onların strukturu tədqiq olunmuşdur.
Əsas elmi əsərləri
- Photoluminescence of Ce and Prcodoped calcium thriogallete. Physica Status Solidi (c)v..3., issne 8, p.2717–2721, 2006
- Radiative properties of Eu2+ in BaGa2S4. J.ofPhyies and Chemistry of Solids(2005).p.1–8
- Low- temperature termoluminescence in CaGa2S4:Eu2+. J. of Luminescence 128(2008) 1496–1500.
- Photoluminescence of EuGa2Se4:Nd3+. Optics and photonics journal, 2012, 2, p.59–63
- "Катодолюминесценция тио-и селеногаллатов бария и калция, легированных редкоземельными элементами" ЖурналПрикладнойСпектроскопии, т.80, № 2, с.221–226, 2013.
- Structural and luminescence properties of CaxBa1-xGa2S4:Eu2+chalcogenide semiconductor solid solutions. Physika B – 2015, 478, p.58–62.
- Excitation and Emission Spectra and Luminescence Kinetics of Ca(AlxGa1 ‒ x)2S4: Eu2+ Crystals. Crystallography Reports, 2015, Vol. 60, No. 6, pp. 924–928.
- High photoluminescence stability of CaGa4O7:Eu3+ red phosphor in wide excitation intensity interval. Optical materials. 54, 2016, p.45–49.
- Luminescence proporties of barium thio-and selenogallates doped with Eu, Ce, Eu+Ce . Japanese Journal Applied Physics, 2011, v.50, No.5, Issue 3, p.05FG02–1–05FG02–2.
- Photoluminescence of CaxBa1-xGa2S4:Eu2+ solid solutions in wide excitation intensity and temperature intervals. J. of Luminescence , 2017, 181, p.121–127.
Elmi-təşkilat fəaliyyəti
- Moskva Dövlət Universitetinin Bakı filialında Beynəlxalq əlaqələr üzrə prorektor
- Fizika İnstitutunda elmi şüranın üzvü
- Bakı Dövlət Unversitetində fizika fakültəsinin nəzdində müdafiyə sürasının üzvü.
İstinadlar
Xarici keçidlər
http://www.science.gov.az/forms/doktora-nauk-instituta-fiziki/844
wikipedia, oxu, kitab, kitabxana, axtar, tap, meqaleler, kitablar, oyrenmek, wiki, bilgi, tarix, tarixi, endir, indir, yukle, izlə, izle, mobil, telefon ucun, azeri, azəri, azerbaycanca, azərbaycanca, sayt, yüklə, pulsuz, pulsuz yüklə, haqqında, haqqinda, məlumat, melumat, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, şəkil, muisiqi, mahnı, kino, film, kitab, oyun, oyunlar, android, ios, apple, samsung, iphone, pc, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, web, computer, komputer
Bu meqaleni vikilesdirmek lazimdir Lutfen meqaleni umumvikipediya ve redakte qaydalarina uygun sekilde tertib edin Bu meqalenin ensiklopedik teleblere cavab vermediyine dair subheler var Lutfen ensiklopedikliyi tesdiq etmek ucun meqalenin movzusuna uygun terefsiz etibarli menbeler elave edin Eger bele menbeler gosterilmezse meqale birlesdirile kocurule yonlendirile ve ya siline biler Oqtay TagiyevDogum tarixi 10 fevral 1958 66 yas Dogum yeri Azerbaycan Respublikasi Baki seheriVetendasligi AzerbaycanMilliyyeti AzerbaycanliAtasiAnasi Fatma TagiyevaElm sahesiElmi derecesi Fizika riyaziyyat elmleri doktoruElmi adi ProfessorIs yeri AMEA Fizika InstitutuAlma mater Baki Dovlet UniversitetiTehsili AliTaninir Respublikada ve xarici olkelerdeHeyatiOqtay Bahadir oglu Tagiyev 1958 ci il fevralin 10 da Baki seherinde anadan olub 1980 ci ilde Azerbaycan Dovlet Universitetinin fizika fakultesini bitirmisdir O B Tagiyev 1981 2007 ci illdde AMEA nin Fizika Institutunda disertant boyuk elmi isci aparici elmi isci vezifelerinde islemisdir Hal hazirda O B Tagiyev Fizika Institutunda Yarimkeciricilerde tarazliqda olmayan elektron proseslerinin fizikasi laboratoriyasina rehberlik edir Elmi eserlerinin sayi 242 Xaricde derc olunan eserlerinin sayi 127 Beynelxalq bazalarda indekslesen jurnallarda Web of Science Scopus ve s derc olunan eserlerinin sayi 106 Istinadlarinin sayi 571 h index 12 Google scholar 292 h index 7 THOMSON REUTERS Muelliflik sehadetlerinin ve patentlerin sayi 15 Elmi pedaqoji fealiyyeti 5 il Azerbaycan Dovlet Nef ve Senaye Universitetinde ve 8 il Moskva Dovlet Universitetinin Baki filialinda pedaqoji fealiyyet gosterir Dil bilikleri ana dili rus ve ingilis diliEsas elmi neticeleriIlk defe olaraq coxrengli CaGa2S4 Ce Pr birlesmesinin fotoluminessensiya spektrinde 469 494 516 539 545 610 632 653 742nm dalga uzunluqlu maksimumlar musahide olunmusdur Gosterilmisdir ki bu coxrengli fosfor 405 450nm intervalinda sualanan InGaN goy isiq diodu ile kombinasiya olunduqda ag isiq menbeleri yaratmaq mumkundur Mueyyen edilmisdir ki 10 300K temperatur intervalinda InGaN lhey 367nm isiq dioduyla CaxBa1 xGa2S4 Eu kristalini heyacanlandirdiqda sualanma intensivliyinin yuksek derecede sabitliyi musahide olunur Mehlulun terkibinde Ca miqdarinin x 0 1 0 5 intervalinda deyismesi ile elaqedar FL spektrindeki maksimum 506 nm den 531nm e qeder deyisir Mueyyen edilmisdir ki CaxBa1 xGa2S4 Eu birlesmesinin terkibinde Ca miqdarinin artmasi kristal sahesinin artmasina sebeb olur ki bu da Eu ionunun 5d orbitalinin parcalanmasina ve 4f65d 4f7 kecidinin enerjisinin azalmasina getirir Ilk defe olaraq CaxBa1 xGa2S4 Eu2 berk mehlullarinin FL nin spektrlerine ve intensivliyine temperaturun tesiri oyrenilmisdir Temperaturun 10K den 300K e qeder artmasi ile FL nin inteqral intensivliyi yalniz 13 azalir spektrin energetik veziyyeti yuksek stabillik numayis etdirir Mueyyen edilmisdir ki CaxBa1 xGa2S4 Eu2 berk mehlullarinda Ca un miqdarinin artmasi FL nintemperatur surusmesinin azalmasina getirir x 0 5 olduqda surusme yoxdur Ilk defe olaraq CaxBa1 xGa2S4 Eu2 CaGa2S4 Er3 CaGa2S4 Pr3 EuGa2S4 Er3 xalkogenid yarimkeciricilerinin mikroovuntularinda heyecanlandirici suanin gucunun FL nin spektr ve efektivliyine tesiri oyrenilmisdir Heyecanlandirici suanin gucunun genis intervalinda 102 107 Vt sm2 sualanma spektrinin forma ve veziyyetinin stabilliyi musahide olunmusdur Mueyyen edilmisdir ki CaxBa1 xGa2S4 Eu2 berk mehlullarinda ve CaGa2S4 Er3 CaGa2S4 Pr3 birlesmelerinde sualanma rekombinasiyasinin effektivliyinin doyma hali uygun olaraq gucun 2 104Vt sm2 100 Vt sm2 105Vt sm2 ve daha yuksek qiymetlerinde nezere carpir Genis temperatur intervalinda 4 2 500K effektiv sualanan uclu halkogenid yarimkeciricileri CaGa2S4 Sr Ga2S4 Ba Ga2S4 BaAl2S4 CaSiO3 ve s vakuumda ve vakuumsuz alinma texnologiyasinin fiziki texnoloji esaslari islemis onlarin strukturu tedqiq olunmusdur Esas elmi eserleriPhotoluminescence of Ce and Prcodoped calcium thriogallete Physica Status Solidi c v 3 issne 8 p 2717 2721 2006 Radiative properties of Eu2 in BaGa2S4 J ofPhyies and Chemistry of Solids 2005 p 1 8 Low temperature termoluminescence in CaGa2S4 Eu2 J of Luminescence 128 2008 1496 1500 Photoluminescence of EuGa2Se4 Nd3 Optics and photonics journal 2012 2 p 59 63 Katodolyuminescenciya tio i selenogallatov bariya i kalciya legirovannyh redkozemelnymi elementami ZhurnalPrikladnojSpektroskopii t 80 2 s 221 226 2013 Structural and luminescence properties of CaxBa1 xGa2S4 Eu2 chalcogenide semiconductor solid solutions Physika B 2015 478 p 58 62 Excitation and Emission Spectra and Luminescence Kinetics of Ca AlxGa1 x 2S4 Eu2 Crystals Crystallography Reports 2015 Vol 60 No 6 pp 924 928 High photoluminescence stability of CaGa4O7 Eu3 red phosphor in wide excitation intensity interval Optical materials 54 2016 p 45 49 Luminescence proporties of barium thio and selenogallates doped with Eu Ce Eu Ce Japanese Journal Applied Physics 2011 v 50 No 5 Issue 3 p 05FG02 1 05FG02 2 Photoluminescence of CaxBa1 xGa2S4 Eu2 solid solutions in wide excitation intensity and temperature intervals J of Luminescence 2017 181 p 121 127 Elmi teskilat fealiyyetiMoskva Dovlet Universitetinin Baki filialinda Beynelxalq elaqeler uzre prorektor Fizika Institutunda elmi suranin uzvu Baki Dovlet Unversitetinde fizika fakultesinin nezdinde mudafiye surasinin uzvu IstinadlarXarici kecidlerhttp www science gov az forms doktora nauk instituta fiziki 844