Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Bu məqaləni lazımdır. |
Elmira Kərimova (31 dekabr 1941, Qasım İsmayılov rayonu – 10 dekabr 2021) — fizikaçı-alim
| Elmira Kərimova | |
|---|---|
 | |
| Doğum tarixi | 31 dekabr 1941 |
| Doğum yeri | Qızılhacılı, Goranboy rayonu, Azərbaycan SSR, SSRİ |
| Vəfat tarixi | 10 dekabr 2021(79 yaşında) |
| Vətəndaşlığı |  SSRİ→ Azərbaycan |
| Milliyyəti | azərbaycanlı |
| Atası | Məmmədəli Axundov |
| Anası | Mərquşə Axundova |
| Elm sahələri | yarımkeciricilər və dielektriklər fizikası |
| Elmi dərəcəsi | fizika-riyaziyyat elmləri doktoru professor |
| İş yeri | Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası Fizika İnstitutu |
| Mükafatları | “İxtiraçılıq Sahəsində Nailiyyətlərinə görə IV Respublika Müsabiqəsi” diplomu |
Həyatı
•Elmi əsərlərinin sayı- 585 •Xaricdə dərc olunan əsərlərinin sayı- 340 •Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda (Web of Science, Scopus və s.) dərc olunan əsərlərinin sayı — 160 •Monoqrafiya və kitablarının sayı- 1(708səh) •Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı- 23 •Elmi-pedaqoji fəaliyyəti- 1963–1965 Azərbaycan Texniki Universiteti; müəllim •Dil bilikləri — Azərbaycan, Rus dillərini sərbəst bilir, İngilis dillini orta
Əsas elmi nəticələri
1.Bərk məhlulların tərkibinin onların fiziki xassələrinə təsirinin analizi göstərdi ki, keçid metallarının miqdarının artması ilə qadağan olunmuş zonanın eni artır və eksiton enerjisinin maksimumuna uyğun gələn qiyməti xətti olaraq artır. Bundan başqa rentgenkeçiricilik 2÷3 dəfə artması müşahidə olunur və faza keçidlərinə uyğun temperatur aşağı oblastlara doğru yerini dəyişir. 1,8K temperaturda TlGaS2 monokristalında eksiton lüminesensiya udulma və kombinasyon səpilmə spektri tədqiq olunmuşdur. 2,48–2,54ev intervalında çoxzolaqlı fotolüminisensiya müəyyən edilmişdir ki, bu da çəp eksitonun fononları emissiya etməsi rekombinasiya şüalanması əsasında izah olunur. Düz eksitona uyğun gələn eksitonun energetik vəziyyəti (2,606eV) və çəp eksitona uyğun gələn (2,540eV) enerji təyin edilmişdir.
2.TlGa1-xFexS2 monokristalında λ- modulyasiya modulyasiya metodu ilə tədqiqi nəticəsində eksiton udulma oblastında müəyyən edilmişdir ki, GaFe (1–2 at%) əvəzləməsi nəticəsində eksiton zolağının sürüşməsi baş verir. Fe atomlarının konsentrasiyası artdıqca eksiton piki udulma sərhəddində itir. Bu monokristallarda laylar arası əlaqənin güclü dəyişməsi ilə izah olunur.
3.TlIn1-xFexS2 (x=00,01) monokristalında In atomlarının Fe atomları ilə qismən əvəz olunması nəticəsində alınmış nəticələr göstərdi ki, x-in artması ilə fotokeçiriciliyin sərhəddi daha uzundalğalı oblasta döğru yerini dəyişir (826nm-dən 1127nm-ə qədər), seqnetoelektrik faza keçidinə uyğun gələn temperatur 200K-dən 185K-ə doğru sürüşür, fonon spektri isə 250÷350sm-1 oblastında dəyişikliyə məruz qalır.
4.A3B6; A3B3C26 və onların bərk məhlulları olan [ (TlGaSe)1-x(TlInSe2)x; Tl(GaS2)1-x(InSe2)x; Tl(InS2)1-x(FeSe2)x; TlGa1-xFexS2] monokristalların rentgenkeçiriciliyi və rentgendozimetrik xarakteristikalarının xüsusiyyətləri öyrənilmişdir. Nəticədə bu maddələrin rentgen şüalarının detektorları üçün aktiv element kimi praktik istifadəsinin perspektivliyi müəyyən edilmişdir. TlGaS2 monokristalında Ga–un Cr–la qismən əvəz edilməsi monokristalların rentgenhəssaslıq əmsalının 2,54,0 dəfə yüksəldilməsinə səbəb olur, alınmış nəticələr göstərir ki, tədqiq olunmuş TlGaS2<Cr> monokristalları yüksək rentgen həssaslıqla xarakterizə olunur və soyudulmasına ehtiyac olmayan rentgendetektorların aktiv elementi kimi tədqiq oluna bilər. 5.Alınan nəticələr TlGаS2<Yb> monokristalları əsasında spektrin geniş infraqırmızı oblastında işləyən fotogəbuledicilər və həssas rentgendetektorlar hazırlamaq üçün perspektivlidir.
6.Üç komponentli yarımkeçiricilərin А3В3С26 (TlInSe2, TlGaSe2) və onların əsasında hazırlanan fotodiodların fotoelektrik xassələrinə sərt şüaların təsiri öyrənilmişdir. TlInSe2 kristallarında akustofotovoltaik effekt aşqar edilmişdir. Müəyyən edilmişdir ki, eninə səs dalğalarının tetroqonal ox istiqamətində (001) yayılması e.h.q.-nin idarə olunmasına səbəb olur. Alınmış (TlInSe2)х(TlInS2)1-х (0х1) monokristallarında pyezorezistiv effekti tədqiq edilmişdir. Göstərilən kristalların elektrik keçiriciliyinə bir ox istiqamətində təzyiqin təsiri (sıxılma və dartılma) öyrənilmişdir və göstərilmişdir ki, bu kristallardan yüksəkhəssaslı tenzodatçik düzəltmək olar.
7.TlFeS2 və TlFeSe2 monokristallarında maqnit qavrayıcılığı öyrənilmişdir. Göstərilmişdir ki, bu maddələr üçün maqnit momentləri zəncirlərin eninə yönəlmişdir. Hər iki monokristalların keçiriciliyi yarımkeçirici xarakterə malikdir, yüksək temperaturlu maqnit qavrayıcılığı isə metallik xarakter daşıyır. Tl-Fe, Tl-Co, Tl-Ni və Tl-Mn alınmış və onların maqnit elektrik və termoelektrik xassələri öyrənilmişdir.
8.Müəyyən edilmişdir ki, TlInSe2 və TlGaTe2 monokristalların 4MeV enerjili və 1016sm-2 dozalı elektronlarla şüalandırılması nəticəsində 90–320K temperatur intervalında xüsusi elektrik keçiriciliyi və dielektrik nüfuzluluğunun azalmasına və faza keçidlərinə uyğun piklərin qismən yastılaşmasına gətirib çıxarır, şüalanma TlInSe2 (T1=135K, T2=185K, T3=235K) və TlGaTe2-də (T1=98,5K, T2=180K) faza keçidi temperaturlarına təsir etmir.
9.Tl(InS2)1-x(FeSe2)x (x=0; 0,005; 0,01; 0,015) bərk məhlullarında maqnitlənmənin tərkib, temperatur və xarici maqnit sahəsindən asılılıq qanunauyğunluqları müəyyən edilmişdir. Gostərilmişdir ki, bərk məhlullar x-in sıfır qiymətində güclü maqnit sahəsində qlobal histerezisli supermaqnit, x-in 0,005 qiymətində (T≤115K) maqnit nizamlılıq formalaşır, x≥0,01 tərkiblərində isə supermaqnit halında olurlar.
10. Göstərilmişdir ki, TlFe1-xGaxS2(x=0; 0,05; 0,1) bərk məhlullarında dəmir ionları qismən Ga ionları ilə əvəz edildikdə maqnit faza keçidlərinin temperaturu uyğun olaraq 130K-dən 100K-ə, 175K-dən 140K-ə qədər, struktur faza keçidi 220K-dən 180K-ə kimi azalır. TlIn1-xErxS2 (x=0,001; 0,005; 0,01) erbiumun konsentrasiyasının artması qadağan olunmuş zonanın enini daralırdır və eksiton pikini 120K–də 25meV uzundalğalı oblasta doğru sürüşdürür.
11. Aşağı temperaturlarda (100–200K) TlGa1-xSbxS2 (x=0,005) kristallarının qadağan olunmuş zonasının eni təyin olunmuşdur. Göstərilmişdir ki, TlGa0,03Sb0,97S2 kristalının fotohəssaslığı TlSbS2 ilə nisbətən yüksəkdir və həssaslıq oblastı qısadalğalı tərəfə 83meV genişdir.
12. Müəyyən edilmişdir ki, TlInSe2-TlSbSe2 və TlInSe2-AgInSe2 bərk məhlullarında In atomlarının Sb və Ag-la əvəz olunmasında yaranan aşqar fotokeçiriciliyi və qadağan olunmuş zonanın eninin dəyişməsi fotohəssaslığın qiymətinin bir tərtib artmasına, spektral diapazonun infraqırmızı oblasta doğru 0,2–0,3eV genişlənməsinə, rentgenhəssaslığın ikiqat artmasına, və rentgen-amper xarakteristikasının xəttiliyinə gətirir.
Əsas elmi əsərləri
1.G. D. Guseiniov, E. Mooser, E. M. Kerimova et al. On some properties of TlInS2(Se2, Te2) single crystals, Phys. Status solidi, 1969, V.34, № 1, P.33–33.
2.E. M. Kerimova, S. N. Mustafaeva, D. A. Guseinova, I. Efendieva, T. S. Mamedov, Z. Salaev, K. Allakhverdiev. The influence of hydrostatic pressure on the electrical conductivity and optical properties of chain-layered TlInSe2-TlInS2 solid solutions, Phys. Stat. Sol.(a), 2000, V.179, p.199–203.
3.Z. Seidov, H. A. Krug von Nidda, J. Herberger, A. Loidl, G. Sultanov, E. Kerimova, A. Panfilov. Magnetic susceptibly and ESR study of the covalent-chain antiferromagnets TlFeSe2, Phys. Rev. B, 2001, Vol.65, p.014433–1–7.
4.E. M. Kerimova, S. N. Mustafaeva, A. I. Jabbarly, G. Sultanov, A. I. Gasanov, R. N. Kerimov. New magnetic semiconductors on the base of TlBVI-MBVI systems (Me-Fe, Co, Ni, Mn; B-S, Se, Te), Physics of Spin in Solids: Materials, Methods and Applications. NATO Scienes: II Mathematics, Physics and Chemistry, 2004, v.156, p.195–2006.
5.Э.М.Керимова, С.Н.Мустафаева, А.Б.Магеррамов. Влияние примесей Ag, Cu, Sn на электрические и фотоэлектрическме свойства TlInSе2, Изв. РАН, серия Неорган. материалы, 1997, т.33, № 11, с.1325–1327.
6.E. M. Kerimova, S. N. Mustafaeva, Yu. G. Asadov, R. N. Kerimov. Synthesis, growth and properties of TlGa1– xYbxS2 crystals, Crystallography Reports, 2005, V.50, Suppl. 1, P. S122–S123.
7.E. M. Kerimova, G. D. Guseinov, F. I. Mamedov. Physical and chemical analysis and diagrams of state in AIB3C26 — TlB3C26 systems, Turkish Journal of Physics, Turkey, 1997, Vol.21, № 2, pp.225–231.
8.F. A. Mikailov, S. Kazan, B. Z. Rameev, A. M. Kulibekov, E. M. Kerimova, B. Aktash. Twinned EPR spectra of Fe3+ centers in ternary layered TlGaS2 crystal. Solid State Communications, 2006, V.138, pp.239–241.
9.M. Yu. Seyidov, E. M. Kerimova, R. K. Veliyev, R. N. Kerimov, F. A. Mikailov. Phase relations in ferroelectric/ferromagnetic TlInS2-TlCoS2 and TlGaSe2-TlCoSe2 systems. Journal of Alloys and Compounds, 453, 2008, p. 503–507
10. A. M. Ulubey(Kulubey), E. A. Gunay, T. K. Baykara, D. A. Huseynova, . A. Nizametdinova. E. M. Kerimova, Z. Yu. Salayeva Lattice dynamics of ternary antiferromagnetic TlFeS2 crystal. Journals of Optoelectronics and advanced materials- Symposia .2009 vol 1, № 3, P.301–304.
11.Mustafaeva S. N., Gasymov Sh. G., Kerimova E. M., Asadov M. M. Electrical properties of TlGaTe2 single crystals under hydrostatic pressure // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2011. v.72. № 6. P. 657–660.
12.Шелег А.У.,Зуб Е.М., Ячковский А.Я., Мустафаева С.Н., Керимова Э.М. Рентгенографические исследования кристаллов системы (TlInSe2)1-x(TlGaTe2)x // Кристаллография, 2012, т.57, № 2, с.332–334.
13.Pashaev A. M., Mustafaeva S. N., Керимова Э.М. Dielectric coefficients and conductivity of TlErTe2 crystal in alternate electric fields. Azerbaijan Journal of Physics, 2013, V. XIX, No2, Section: En, p.43–45.
14.Шелег А.У., Шевцова В.В., Гуртовой В.Г., Мустафаева С.Н., Керимова Э.М. Низкотемпературные рентгенографические исследования монокристаллов TlInS2, TlGaS2 и TlGaSe2 // Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2013, № 11, c. 39–42.
15.R. G. Veliyev, Mir-Hasan Yu. Seyidov, E. M. Kerimova, N. Z. Gasanov, R. Z. Sadikhov, Yu. G. Asadov, F. M. Seyidov. Phase Transitions and their co-existence in the TlGaSe2-TlCrS2(Se2) system. Bull. mater. Sci., 2013, v.36, No4, pp.693–698. IF 0.584
16.Аскеров Э.Б., Мададзада А.И., Бескровный А.И., Исмаилов Д.И., Мехдиева Р.Н., Джабаров С.Г., Керимова Э.М., Неов Д. Нейтронографическое исследование TlFeS2 и TlFeSe2 при низких температурах // Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и Нейтронные Исследования. 2014. № 12. С.1–6.
17.Аскеров Э.Б., Тоан Д.Н., Бескровный А.И., Мададзада А.И., Исмаилов Д.И., Мехдиева Р.Н., Джабаров С.Г., Керимова Э.М. Магнитная структура в халькогенидах TlFeS2 и TlFeSe2 // ФТП, т.49, вып.7, 2015, с. 899–903.
18.Mustafaeva S. N., Kerimova E. M., Gasanov A. I. Synthesis, Roentgenophase Analysis and Physical Properties of TlIn1−xErxSe2 Solid Solutions // Acta Physica Polonica A. 2015. V. 128. № 4. P. 697–699.
19.M. Kulik, Э.Б.Аскеров, А.И.Мададзада, A. Olejniczak, Д.И.Исмаилов, Р.Н.Мехдиева, А.И.Бескровный, В.К.Семина, В.А.Скуратов, А.А.Сафарзаде, Э.М.Керимова. Влияние облучения ионами ксенона с энергией 167 МэВ на структуру и свойства поверхности TlFeS2. Поверхность, 2016. T.19, № 3, с. 115–120.
20.Mustafaeva S. N. Jafarova S. G. Kerimova E. M., Gasanov N. Z., Asadov S. M. Influence of the Composition of Tl(GaS2)1–x(InSe2)x //Alloys on Their Physical Properties // Mechanics, Materials Science Engineering, 2017. V 7. 7 pages.
Elmi-təşkilati fəaliyyəti
Fizika institutunun şura üzvi kimi elmi-təşkilatda fəaliyyət göstərir.
Təltif və mükafatları
2002-ci ildə Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının Fəxri Fərmanına layiq görülmüşdür; ABŞ Bioqrafiya İnstitutyu tərəfindən "2001 və 2002-ci i illərin beynəlxalq qadını" adına layiq görülmüşdür; 2008–2016-cı ildə Amerika Bioqrafiya İnstitutu "Dünyanın aparıcı intellektualları" adına layiq görülmüşdür.
- https://science.gov.az/az/news/open/19130.
wikipedia, oxu, kitab, kitabxana, axtar, tap, meqaleler, kitablar, oyrenmek, wiki, bilgi, tarix, tarixi, endir, indir, yukle, izlə, izle, mobil, telefon ucun, azeri, azəri, azerbaycanca, azərbaycanca, sayt, yüklə, pulsuz, pulsuz yüklə, haqqında, haqqinda, məlumat, melumat, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, şəkil, muisiqi, mahnı, kino, film, kitab, oyun, oyunlar, android, ios, apple, samsung, iphone, pc, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, web, computer, komputer
Bu meqaleni vikilesdirmek lazimdir Lutfen meqaleni umumvikipediya ve redakte qaydalarina uygun sekilde tertib edin Elmira Kerimova 31 dekabr 1941 Qasim Ismayilov rayonu 10 dekabr 2021 fizikaci alimElmira KerimovaDogum tarixi 31 dekabr 1941 1941 12 31 Dogum yeri Qizilhacili Goranboy rayonu Azerbaycan SSR SSRIVefat tarixi 10 dekabr 2021 2021 12 10 79 yasinda Vetendasligi SSRI AzerbaycanMilliyyeti azerbaycanliAtasi Memmedeli AxundovAnasi Merquse AxundovaElm saheleri yarimkeciriciler ve dielektrikler fizikasiElmi derecesi fizika riyaziyyat elmleri doktoru professorIs yeri Azerbaycan Milli Elmler Akademiyasi Fizika InstitutuMukafatlari Ixtiraciliq Sahesinde Nailiyyetlerine gore IV Respublika Musabiqesi diplomuHeyati Elmi eserlerinin sayi 585 Xaricde derc olunan eserlerinin sayi 340 Beynelxalq bazalarda indekslesen jurnallarda Web of Science Scopus ve s derc olunan eserlerinin sayi 160 Monoqrafiya ve kitablarinin sayi 1 708seh Muelliflik sehadetnamelerinin ve patentlerin sayi 23 Elmi pedaqoji fealiyyeti 1963 1965 Azerbaycan Texniki Universiteti muellim Dil bilikleri Azerbaycan Rus dillerini serbest bilir Ingilis dillini ortaEsas elmi neticeleri1 Berk mehlullarin terkibinin onlarin fiziki xasselerine tesirinin analizi gosterdi ki kecid metallarinin miqdarinin artmasi ile qadagan olunmus zonanin eni artir ve eksiton enerjisinin maksimumuna uygun gelen qiymeti xetti olaraq artir Bundan basqa rentgenkeciricilik 2 3 defe artmasi musahide olunur ve faza kecidlerine uygun temperatur asagi oblastlara dogru yerini deyisir 1 8K temperaturda TlGaS2 monokristalinda eksiton luminesensiya udulma ve kombinasyon sepilme spektri tedqiq olunmusdur 2 48 2 54ev intervalinda coxzolaqli fotoluminisensiya mueyyen edilmisdir ki bu da cep eksitonun fononlari emissiya etmesi rekombinasiya sualanmasi esasinda izah olunur Duz eksitona uygun gelen eksitonun energetik veziyyeti 2 606eV ve cep eksitona uygun gelen 2 540eV enerji teyin edilmisdir 2 TlGa1 xFexS2 monokristalinda l modulyasiya modulyasiya metodu ile tedqiqi neticesinde eksiton udulma oblastinda mueyyen edilmisdir ki Ga Fe 1 2 at evezlemesi neticesinde eksiton zolaginin surusmesi bas verir Fe atomlarinin konsentrasiyasi artdiqca eksiton piki udulma serheddinde itir Bu monokristallarda laylar arasi elaqenin guclu deyismesi ile izah olunur 3 TlIn1 xFexS2 x 0 0 01 monokristalinda In atomlarinin Fe atomlari ile qismen evez olunmasi neticesinde alinmis neticeler gosterdi ki x in artmasi ile fotokeciriciliyin serheddi daha uzundalgali oblasta dogru yerini deyisir 826nm den 1127nm e qeder seqnetoelektrik faza kecidine uygun gelen temperatur 200K den 185K e dogru surusur fonon spektri ise 250 350sm 1 oblastinda deyisikliye meruz qalir 4 A3B6 A3B3C26 ve onlarin berk mehlullari olan TlGaSe 1 x TlInSe2 x Tl GaS2 1 x InSe2 x Tl InS2 1 x FeSe2 x TlGa1 xFexS2 monokristallarin rentgenkeciriciliyi ve rentgendozimetrik xarakteristikalarinin xususiyyetleri oyrenilmisdir Neticede bu maddelerin rentgen sualarinin detektorlari ucun aktiv element kimi praktik istifadesinin perspektivliyi mueyyen edilmisdir TlGaS2 monokristalinda Ga un Cr la qismen evez edilmesi monokristallarin rentgenhessasliq emsalinin 2 5 4 0 defe yukseldilmesine sebeb olur alinmis neticeler gosterir ki tedqiq olunmus TlGaS2 lt Cr gt monokristallari yuksek rentgen hessasliqla xarakterize olunur ve soyudulmasina ehtiyac olmayan rentgendetektorlarin aktiv elementi kimi tedqiq oluna biler 5 Alinan neticeler TlGaS2 lt Yb gt monokristallari esasinda spektrin genis infraqirmizi oblastinda isleyen fotogebulediciler ve hessas rentgendetektorlar hazirlamaq ucun perspektivlidir 6 Uc komponentli yarimkeciricilerin A3V3S26 TlInSe2 TlGaSe2 ve onlarin esasinda hazirlanan fotodiodlarin fotoelektrik xasselerine sert sualarin tesiri oyrenilmisdir TlInSe2 kristallarinda akustofotovoltaik effekt asqar edilmisdir Mueyyen edilmisdir ki enine ses dalgalarinin tetroqonal ox istiqametinde 001 yayilmasi e h q nin idare olunmasina sebeb olur Alinmis TlInSe2 h TlInS2 1 h 0 h 1 monokristallarinda pyezorezistiv effekti tedqiq edilmisdir Gosterilen kristallarin elektrik keciriciliyine bir ox istiqametinde tezyiqin tesiri sixilma ve dartilma oyrenilmisdir ve gosterilmisdir ki bu kristallardan yuksekhessasli tenzodatcik duzeltmek olar 7 TlFeS2 ve TlFeSe2 monokristallarinda maqnit qavrayiciligi oyrenilmisdir Gosterilmisdir ki bu maddeler ucun maqnit momentleri zencirlerin enine yonelmisdir Her iki monokristallarin keciriciliyi yarimkecirici xaraktere malikdir yuksek temperaturlu maqnit qavrayiciligi ise metallik xarakter dasiyir Tl Fe Tl Co Tl Ni ve Tl Mn alinmis ve onlarin maqnit elektrik ve termoelektrik xasseleri oyrenilmisdir 8 Mueyyen edilmisdir ki TlInSe2 ve TlGaTe2 monokristallarin 4MeV enerjili ve 1016sm 2 dozali elektronlarla sualandirilmasi neticesinde 90 320K temperatur intervalinda xususi elektrik keciriciliyi ve dielektrik nufuzlulugunun azalmasina ve faza kecidlerine uygun piklerin qismen yastilasmasina getirib cixarir sualanma TlInSe2 T1 135K T2 185K T3 235K ve TlGaTe2 de T1 98 5K T2 180K faza kecidi temperaturlarina tesir etmir 9 Tl InS2 1 x FeSe2 x x 0 0 005 0 01 0 015 berk mehlullarinda maqnitlenmenin terkib temperatur ve xarici maqnit sahesinden asililiq qanunauygunluqlari mueyyen edilmisdir Gosterilmisdir ki berk mehlullar x in sifir qiymetinde guclu maqnit sahesinde qlobal histerezisli supermaqnit x in 0 005 qiymetinde T 115K maqnit nizamliliq formalasir x 0 01 terkiblerinde ise supermaqnit halinda olurlar 10 Gosterilmisdir ki TlFe1 xGaxS2 x 0 0 05 0 1 berk mehlullarinda demir ionlari qismen Ga ionlari ile evez edildikde maqnit faza kecidlerinin temperaturu uygun olaraq 130K den 100K e 175K den 140K e qeder struktur faza kecidi 220K den 180K e kimi azalir TlIn1 xErxS2 x 0 001 0 005 0 01 erbiumun konsentrasiyasinin artmasi qadagan olunmus zonanin enini daralirdir ve eksiton pikini 120K de 25meV uzundalgali oblasta dogru surusdurur 11 Asagi temperaturlarda 100 200K TlGa1 xSbxS2 x 0 005 kristallarinin qadagan olunmus zonasinin eni teyin olunmusdur Gosterilmisdir ki TlGa0 03Sb0 97S2 kristalinin fotohessasligi TlSbS2 ile nisbeten yuksekdir ve hessasliq oblasti qisadalgali terefe 83meV genisdir 12 Mueyyen edilmisdir ki TlInSe2 TlSbSe2 ve TlInSe2 AgInSe2 berk mehlullarinda In atomlarinin Sb ve Ag la evez olunmasinda yaranan asqar fotokeciriciliyi ve qadagan olunmus zonanin eninin deyismesi fotohessasligin qiymetinin bir tertib artmasina spektral diapazonun infraqirmizi oblasta dogru 0 2 0 3eV genislenmesine rentgenhessasligin ikiqat artmasina ve rentgen amper xarakteristikasinin xettiliyine getirir Esas elmi eserleri1 G D Guseiniov E Mooser E M Kerimova et al On some properties of TlInS2 Se2 Te2 single crystals Phys Status solidi 1969 V 34 1 P 33 33 2 E M Kerimova S N Mustafaeva D A Guseinova I Efendieva T S Mamedov Z Salaev K Allakhverdiev The influence of hydrostatic pressure on the electrical conductivity and optical properties of chain layered TlInSe2 TlInS2 solid solutions Phys Stat Sol a 2000 V 179 p 199 203 3 Z Seidov H A Krug von Nidda J Herberger A Loidl G Sultanov E Kerimova A Panfilov Magnetic susceptibly and ESR study of the covalent chain antiferromagnets TlFeSe2 Phys Rev B 2001 Vol 65 p 014433 1 7 4 E M Kerimova S N Mustafaeva A I Jabbarly G Sultanov A I Gasanov R N Kerimov New magnetic semiconductors on the base of TlBVI MBVI systems Me Fe Co Ni Mn B S Se Te Physics of Spin in Solids Materials Methods and Applications NATO Scienes II Mathematics Physics and Chemistry 2004 v 156 p 195 2006 5 E M Kerimova S N Mustafaeva A B Magerramov Vliyanie primesej Ag Cu Sn na elektricheskie i fotoelektricheskme svojstva TlInSe2 Izv RAN seriya Neorgan materialy 1997 t 33 11 s 1325 1327 6 E M Kerimova S N Mustafaeva Yu G Asadov R N Kerimov Synthesis growth and properties of TlGa1 xYbxS2 crystals Crystallography Reports 2005 V 50 Suppl 1 P S122 S123 7 E M Kerimova G D Guseinov F I Mamedov Physical and chemical analysis and diagrams of state in AIB3C26 TlB3C26 systems Turkish Journal of Physics Turkey 1997 Vol 21 2 pp 225 231 8 F A Mikailov S Kazan B Z Rameev A M Kulibekov E M Kerimova B Aktash Twinned EPR spectra of Fe3 centers in ternary layered TlGaS2 crystal Solid State Communications 2006 V 138 pp 239 241 9 M Yu Seyidov E M Kerimova R K Veliyev R N Kerimov F A Mikailov Phase relations in ferroelectric ferromagnetic TlInS2 TlCoS2 and TlGaSe2 TlCoSe2 systems Journal of Alloys and Compounds 453 2008 p 503 507 10 A M Ulubey Kulubey E A Gunay T K Baykara D A Huseynova A Nizametdinova E M Kerimova Z Yu Salayeva Lattice dynamics of ternary antiferromagnetic TlFeS2 crystal Journals of Optoelectronics and advanced materials Symposia 2009 vol 1 3 P 301 304 11 Mustafaeva S N Gasymov Sh G Kerimova E M Asadov M M Electrical properties of TlGaTe2 single crystals under hydrostatic pressure Journal of Physics and Chemistry of Solids 2011 v 72 6 P 657 660 12 Sheleg A U Zub E M Yachkovskij A Ya Mustafaeva S N Kerimova E M Rentgenograficheskie issledovaniya kristallov sistemy TlInSe2 1 x TlGaTe2 x Kristallografiya 2012 t 57 2 s 332 334 13 Pashaev A M Mustafaeva S N Kerimova E M Dielectric coefficients and conductivity of TlErTe2 crystal in alternate electric fields Azerbaijan Journal of Physics 2013 V XIX No2 Section En p 43 45 14 Sheleg A U Shevcova V V Gurtovoj V G Mustafaeva S N Kerimova E M Nizkotemperaturnye rentgenograficheskie issledovaniya monokristallov TlInS2 TlGaS2 i TlGaSe2 Poverhnost rentgenovskie sinhrotronnye i nejtronnye issledovaniya 2013 11 c 39 42 15 R G Veliyev Mir Hasan Yu Seyidov E M Kerimova N Z Gasanov R Z Sadikhov Yu G Asadov F M Seyidov Phase Transitions and their co existence in the TlGaSe2 TlCrS2 Se2 system Bull mater Sci 2013 v 36 No4 pp 693 698 IF 0 584 16 Askerov E B Madadzada A I Beskrovnyj A I Ismailov D I Mehdieva R N Dzhabarov S G Kerimova E M Neov D Nejtronograficheskoe issledovanie TlFeS2 i TlFeSe2 pri nizkih temperaturah Poverhnost Rentgenovskie Sinhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya 2014 12 S 1 6 17 Askerov E B Toan D N Beskrovnyj A I Madadzada A I Ismailov D I Mehdieva R N Dzhabarov S G Kerimova E M Magnitnaya struktura v halkogenidah TlFeS2 i TlFeSe2 FTP t 49 vyp 7 2015 s 899 903 18 Mustafaeva S N Kerimova E M Gasanov A I Synthesis Roentgenophase Analysis and Physical Properties of TlIn1 xErxSe2 Solid Solutions Acta Physica Polonica A 2015 V 128 4 P 697 699 19 M Kulik E B Askerov A I Madadzada A Olejniczak D I Ismailov R N Mehdieva A I Beskrovnyj V K Semina V A Skuratov A A Safarzade E M Kerimova Vliyanie oblucheniya ionami ksenona s energiej 167 MeV na strukturu i svojstva poverhnosti TlFeS2 Poverhnost 2016 T 19 3 s 115 120 20 Mustafaeva S N Jafarova S G Kerimova E M Gasanov N Z Asadov S M Influence of the Composition of Tl GaS2 1 x InSe2 x Alloys on Their Physical Properties Mechanics Materials Science Engineering 2017 V 7 7 pages Elmi teskilati fealiyyetiFizika institutunun sura uzvi kimi elmi teskilatda fealiyyet gosterir Teltif ve mukafatlari2002 ci ilde Azerbaycan Milli Elmler Akademiyasinin Fexri Fermanina layiq gorulmusdur ABS Bioqrafiya Institutyu terefinden 2001 ve 2002 ci i illerin beynelxalq qadini adina layiq gorulmusdur 2008 2016 ci ilde Amerika Bioqrafiya Institutu Dunyanin aparici intellektuallari adina layiq gorulmusdur https science gov az az news open 19130